相变存储单元的仿真研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·新型非易失性存储器 | 第9-10页 |
| ·PCRAM 存储机理 | 第10-16页 |
| ·电转换机理 | 第10-11页 |
| ·PCRAM 对相变材料的要求 | 第11-12页 |
| ·相变材料 GST 的伏安特性曲线 | 第12-13页 |
| ·PCRAM 存储单元的结构 | 第13-14页 |
| ·PCRAM 存储单元的读、写特性 | 第14-16页 |
| ·PCRAM 的发展现状 | 第16-17页 |
| ·课题研究的意义和内容 | 第17-18页 |
| ·课题研究的意义 | 第17页 |
| ·课题研究的内容 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 2 存储单元仿真系统设计原理 | 第19-30页 |
| ·存储单元电、热、相转变仿真原理 | 第19-24页 |
| ·存储单元电性能仿真原理 | 第19-20页 |
| ·存储单元热性能仿真原理 | 第20-21页 |
| ·存储单元相态转换仿真原理 | 第21-23页 |
| ·存储单元总电阻计算原理 | 第23-24页 |
| ·存储单元抗辐照性能仿真原理 | 第24-28页 |
| ·地球空间辐照环境及辐照效应 | 第24-26页 |
| ·抗辐照性能仿真原理 | 第26-28页 |
| ·仿真计算流程 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 3 无辐照情况仿真结果及分析 | 第30-59页 |
| ·仿真计算模型及参数设定 | 第30-31页 |
| ·存储单元取模型参数的仿真 | 第31-34页 |
| ·基于存储单元模型参数的仿真 | 第34-52页 |
| ·上、下电极几何参数对存储单元性能的影响 | 第35-37页 |
| ·上、下电极电阻率对存储单元性能的影响 | 第37-39页 |
| ·相变层几何参数对存储单元性能的影响 | 第39-46页 |
| ·相变材料电阻率对存储单元性能的影响 | 第46-49页 |
| ·相变材料热导率对存储单元性能的影响 | 第49-51页 |
| ·绝缘介质材料对存储单元性能的影响 | 第51-52页 |
| ·存储单元优化设计 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 4 有辐照情况仿真结果及分析 | 第59-66页 |
| ·存储单元经复位操作后的单粒子效应 | 第59-62页 |
| ·存储单元经置位操作后的单粒子效应 | 第62-64页 |
| ·工艺特征尺寸对存储单元单粒子效应的影响 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 5 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 6 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 I 攻读硕士期间发表的论文 | 第75页 |
| 附录 II 攻读硕士期间参与的课题 | 第75页 |
