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场电子激励下ZnO纳晶薄膜紫外发光特性研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-20页
   ·课题研究背景第11-16页
     ·照明技术的变迁第11页
     ·各类光源简介及性能对比第11-13页
     ·紫外光源在实现白光 LED 方面的研究现状第13-16页
   ·课题研究意义第16-18页
     ·关于阴极射线激发下的发光第16-18页
     ·本课题的创新之处第18页
   ·课题研究内容第18-20页
第二章 ZnO 的性质及其纳米晶阵列的制备方法第20-28页
   ·新型宽禁带半导体材料简介第20页
   ·ZnO 的结构与性质第20-22页
     ·ZnO 的晶体结构第20-21页
     ·ZnO 的材料特性第21-22页
   ·一维 ZnO 纳米材料的制备方法简介第22-24页
     ·气相沉积法第22-23页
     ·固相沉积法第23页
     ·液相沉积法第23-24页
   ·ZnO 纳米结构水热生长的理论基础第24-28页
     ·选取磁控溅射——水热生长法的原因第24页
     ·晶体水热生长的基本概念第24-25页
     ·晶体的水热反应生长过程第25-26页
     ·氧化锌纳米棒阵列的水热生长过程第26-28页
第三章 磁控溅射—水热生长法制备 ZnO 纳米阵列结构第28-42页
   ·磁控溅射原理简介第28-29页
   ·ZnO 籽晶层的制备第29-33页
     ·基片的清洗第30页
     ·籽晶层沉积速率的测定与分析第30-32页
     ·射频磁控溅射沉积 ZnO 籽晶层第32-33页
   ·水热生长法制备 ZnO 纳米棒阵列第33-37页
     ·实验装置及步骤第33-34页
     ·结果与讨论第34-37页
       ·不同籽晶层厚度对纳米棒透过率的影响第34-35页
       ·不同籽晶层厚度对 ZnO 纳米棒阵列形貌的影响第35-36页
       ·不同水热生长时间对 ZnO 纳米棒阵列形貌的影响第36-37页
       ·最佳实验参数第37页
   ·样品的 XRD 图谱分析第37-38页
   ·样品的 EDS 图谱分析第38页
   ·样品的光致发光光谱分析第38-40页
   ·本章小结第40-42页
第四章 CNT 场发射阴极的制备第42-49页
   ·场致发射原理简介第42-43页
   ·碳纳米管场致发射性能和发射机理第43-44页
   ·碳纳米管阵列的制备流程第44-47页
     ·工艺流程概述第44-45页
     ·衬底硅片的清洗第45页
     ·光刻工艺第45页
     ·沉积催化剂层第45-46页
     ·微波等离子体气相沉积法生长碳纳米管第46-47页
   ·碳纳米管阵列的形貌及性能测试第47-48页
     ·样品的 SEM 图像第47页
     ·样品的退火及场发射性能测试第47-48页
   ·本章小结第48-49页
第五章 场电子激励下 ZnO 纳晶薄膜发光特性测试第49-64页
   ·测试装置的设计第49-53页
     ·总装图第49-50页
     ·各部件的设计方案第50-52页
       ·阳极固定装置第50-51页
       ·阴极固定装置第51-52页
       ·陶瓷座第52页
       ·支撑体第52页
     ·装置实物图第52-53页
   ·场电子激励下 ZnO 纳晶薄膜的发光特性测试第53-57页
     ·部件的清洗第54页
     ·测试结果及分析第54-57页
       ·发光光谱测试第54-55页
       ·对发光机理及光谱红移现象的分析第55-56页
       ·发光强度测试第56-57页
     ·对实验的改进思路第57页
   ·优化后的 ZnO 纳晶薄膜制备第57-60页
     ·Al 导电层的制备第58-59页
     ·ZnO 纳米阵列结构的制备第59-60页
     ·Al 反射层的制备第60页
   ·优化后的 ZnO 纳晶薄膜在场电子激励下的发光特性测试第60-62页
   ·本章小结第62-64页
第六章 结束语第64-67页
   ·对本文工作的总结第64-65页
   ·一些待解决的问题和对未来工作的展望第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-73页
攻硕期间取得的研究成果第73-74页

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