摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
·课题研究背景 | 第11-16页 |
·照明技术的变迁 | 第11页 |
·各类光源简介及性能对比 | 第11-13页 |
·紫外光源在实现白光 LED 方面的研究现状 | 第13-16页 |
·课题研究意义 | 第16-18页 |
·关于阴极射线激发下的发光 | 第16-18页 |
·本课题的创新之处 | 第18页 |
·课题研究内容 | 第18-20页 |
第二章 ZnO 的性质及其纳米晶阵列的制备方法 | 第20-28页 |
·新型宽禁带半导体材料简介 | 第20页 |
·ZnO 的结构与性质 | 第20-22页 |
·ZnO 的晶体结构 | 第20-21页 |
·ZnO 的材料特性 | 第21-22页 |
·一维 ZnO 纳米材料的制备方法简介 | 第22-24页 |
·气相沉积法 | 第22-23页 |
·固相沉积法 | 第23页 |
·液相沉积法 | 第23-24页 |
·ZnO 纳米结构水热生长的理论基础 | 第24-28页 |
·选取磁控溅射——水热生长法的原因 | 第24页 |
·晶体水热生长的基本概念 | 第24-25页 |
·晶体的水热反应生长过程 | 第25-26页 |
·氧化锌纳米棒阵列的水热生长过程 | 第26-28页 |
第三章 磁控溅射—水热生长法制备 ZnO 纳米阵列结构 | 第28-42页 |
·磁控溅射原理简介 | 第28-29页 |
·ZnO 籽晶层的制备 | 第29-33页 |
·基片的清洗 | 第30页 |
·籽晶层沉积速率的测定与分析 | 第30-32页 |
·射频磁控溅射沉积 ZnO 籽晶层 | 第32-33页 |
·水热生长法制备 ZnO 纳米棒阵列 | 第33-37页 |
·实验装置及步骤 | 第33-34页 |
·结果与讨论 | 第34-37页 |
·不同籽晶层厚度对纳米棒透过率的影响 | 第34-35页 |
·不同籽晶层厚度对 ZnO 纳米棒阵列形貌的影响 | 第35-36页 |
·不同水热生长时间对 ZnO 纳米棒阵列形貌的影响 | 第36-37页 |
·最佳实验参数 | 第37页 |
·样品的 XRD 图谱分析 | 第37-38页 |
·样品的 EDS 图谱分析 | 第38页 |
·样品的光致发光光谱分析 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第四章 CNT 场发射阴极的制备 | 第42-49页 |
·场致发射原理简介 | 第42-43页 |
·碳纳米管场致发射性能和发射机理 | 第43-44页 |
·碳纳米管阵列的制备流程 | 第44-47页 |
·工艺流程概述 | 第44-45页 |
·衬底硅片的清洗 | 第45页 |
·光刻工艺 | 第45页 |
·沉积催化剂层 | 第45-46页 |
·微波等离子体气相沉积法生长碳纳米管 | 第46-47页 |
·碳纳米管阵列的形貌及性能测试 | 第47-48页 |
·样品的 SEM 图像 | 第47页 |
·样品的退火及场发射性能测试 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第五章 场电子激励下 ZnO 纳晶薄膜发光特性测试 | 第49-64页 |
·测试装置的设计 | 第49-53页 |
·总装图 | 第49-50页 |
·各部件的设计方案 | 第50-52页 |
·阳极固定装置 | 第50-51页 |
·阴极固定装置 | 第51-52页 |
·陶瓷座 | 第52页 |
·支撑体 | 第52页 |
·装置实物图 | 第52-53页 |
·场电子激励下 ZnO 纳晶薄膜的发光特性测试 | 第53-57页 |
·部件的清洗 | 第54页 |
·测试结果及分析 | 第54-57页 |
·发光光谱测试 | 第54-55页 |
·对发光机理及光谱红移现象的分析 | 第55-56页 |
·发光强度测试 | 第56-57页 |
·对实验的改进思路 | 第57页 |
·优化后的 ZnO 纳晶薄膜制备 | 第57-60页 |
·Al 导电层的制备 | 第58-59页 |
·ZnO 纳米阵列结构的制备 | 第59-60页 |
·Al 反射层的制备 | 第60页 |
·优化后的 ZnO 纳晶薄膜在场电子激励下的发光特性测试 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
第六章 结束语 | 第64-67页 |
·对本文工作的总结 | 第64-65页 |
·一些待解决的问题和对未来工作的展望 | 第65-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-73页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |