VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜生长过程的模拟和实验
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·太阳能电池的研究意义 | 第10页 |
| ·微晶硅电池的研究背景和发展历史 | 第10-12页 |
| ·微晶硅薄膜的高速沉积现状和制备方法 | 第12-14页 |
| ·μc-Si：H薄膜的模拟现状 | 第14-15页 |
| ·开题思想及研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 理论基础 | 第16-31页 |
| ·等离子体基本概念与性质 | 第16页 |
| ·电容耦合的等离子体放电机制 | 第16-17页 |
| ·PECVD发制备μc-Si：H薄膜 | 第17-21页 |
| ·等离子放电过程 | 第18页 |
| ·次级反应 | 第18页 |
| ·表面生长 | 第18-19页 |
| ·μc-Si：H薄膜沉积的气相动力学 | 第19-21页 |
| ·反应模型的建立 | 第21-27页 |
| ·μc-Si：H薄膜的制备与表征 | 第27-30页 |
| ·实验仪 | 第27页 |
| ·表征手段 | 第27-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 μc-Si：H薄膜的生长模拟 | 第31-58页 |
| ·功率系列 | 第31-38页 |
| ·压强系列 | 第38-44页 |
| ·温度系列 | 第44-49页 |
| ·浓度系列 | 第49-53页 |
| ·频率系列 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 高速沉积μc-Si：H薄膜 | 第58-74页 |
| ·功率系列 | 第59-65页 |
| ·压强系列 | 第65-70页 |
| ·浓度系列 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 个人简历及硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
