摘要 | 第1-10页 |
ABSTRACT | 第10-12页 |
符号说明 | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第13-26页 |
·金刚石电子性质的研究背景及意义 | 第13-14页 |
·金刚石的基本性质 | 第14-17页 |
·金刚石的物理化学特性 | 第14-15页 |
·金刚石的空间结构 | 第15-16页 |
·金刚石作为半导体材料的优异性能 | 第16-17页 |
·金刚石半导体器件及其应用 | 第17-18页 |
·金刚石半导体器件 | 第17页 |
·金刚石的应用 | 第17-18页 |
·金刚石的分类 | 第18-19页 |
·金刚石薄膜的制备 | 第19-21页 |
·金刚石的n型研究 | 第21-24页 |
·金刚石的n型掺杂研究进展及现状 | 第22页 |
·金刚石杂质的掺杂方法 | 第22-24页 |
参考文献 | 第24-26页 |
二 密度泛函理论 | 第26-38页 |
·第一性原理及密度泛函理论的基本概念 | 第26-31页 |
·Born-Oppenheimer绝热近似 | 第26-27页 |
·Hartree-Fock(HF)近似 | 第27-29页 |
·Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第29-30页 |
·Kohn-Sham方程 | 第30-31页 |
·DFT中轨道能级的意义 | 第31页 |
·交换关联泛函 | 第31-34页 |
·Slater平均交换势 | 第31-32页 |
·局域密度近似 | 第32-33页 |
·广义梯度近似 | 第33-34页 |
·杂化泛函 | 第34页 |
·密度泛函中的数值计算-布里渊区的特殊K点采样问题 | 第34页 |
·赝势平面波算法(PPW) | 第34-35页 |
·计算软件 | 第35-37页 |
·CASTEP程序 | 第35页 |
·VASP软件包 | 第35-37页 |
参考文献 | 第37-38页 |
第三章 硼和硫族元素共掺对金刚石导电特性的影响 | 第38-49页 |
·研究背景 | 第38-39页 |
·计算方法和模型 | 第39-40页 |
·结果与讨论 | 第40-46页 |
·形成能的计算与分析 | 第40-41页 |
·B_S-X_S共掺金刚石的能带结构 | 第41-43页 |
·电子结构分析 | 第43-44页 |
·B_S-X_S-H复合物 | 第44-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-49页 |
第四章 N、P掺杂对金刚石(100)和(111)表面电子性质的影响 | 第49-60页 |
·研究背景 | 第49页 |
·计算方法 | 第49-50页 |
·结果与讨论 | 第50-57页 |
·计算模型 | 第50-51页 |
·缺陷形成能的计算和分析 | 第51-52页 |
·能带及态密度的分析 | 第52-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第五章 结束语 | 第60-61页 |
硕士期间参加的研究项目 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第63页 |