| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 1 绪论 | 第12-34页 |
| ·热电材料研究的背景及意义 | 第12-13页 |
| ·热电理论基础 | 第13-17页 |
| ·热电输运现象 | 第13-14页 |
| ·热电势和电导率 | 第14-16页 |
| ·热导率 | 第16-17页 |
| ·热电效应发展简介 | 第17页 |
| ·金属、半导体、绝缘体的热电性质 | 第17-19页 |
| ·热电材料研究进展 | 第19-32页 |
| ·(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3类化合物 | 第19-21页 |
| ·方钴矿(Skutterudite) | 第21-23页 |
| ·笼合物热电材料的研究进展 | 第23-32页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第32-34页 |
| ·本文的研究意义 | 第32页 |
| ·本文的研究内容 | 第32-34页 |
| 2 材料制备方法及检测方法 | 第34-38页 |
| ·合成方法 | 第34-35页 |
| ·热电材料的性能评价方法 | 第35-38页 |
| ·Seebeck 系数测试原理 | 第35页 |
| ·电导率测试原理 | 第35-38页 |
| 3 I-型笼合物 Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的结构、热电性质研究及第一性计算 | 第38-64页 |
| ·研究背景 | 第38页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的理论计算 | 第38-46页 |
| ·计算方法与理论模型 | 第38-39页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的结构描述 | 第39-40页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的结构性质 | 第40-41页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的电子结构 | 第41-46页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Ge_(30-x)Sn_x多晶笼合物的制备 | 第46-47页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)单晶制备及输运性质研究 | 第47-61页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)单晶笼合物的制备 | 第47-50页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的拉曼光谱分析 | 第50-54页 |
| ·Sr_8Ga_(16)Sn_xGe_(30-x)的热电性质 | 第54-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 4 Ba_8Ga_(16-x)(Cu, Ag)_xSn_(30)的结构、热电性质研究及第一性计算 | 第64-94页 |
| ·研究背景 | 第64-65页 |
| ·VIII-Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)单晶的制备及结构特性研究 | 第65-71页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)笼合物单晶制备 | 第65页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的结构研究 | 第65-71页 |
| ·VIII-Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的第一性原理计算 | 第71-78页 |
| ·计算参数及计算模型 | 第71-72页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)结构性质 | 第72-73页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的电子结构 | 第73-78页 |
| ·I-型 Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的第一性计算 | 第78-85页 |
| ·I-型 Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的结构特点 | 第78-80页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的结构性质 | 第80-81页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)的电子结构 | 第81-85页 |
| ·VIII-Ba_8Ga_(16-x)Ag_xSn_(30)的制备、热电性质及电子结构计算 | 第85-90页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Ag_xSn_(30)单晶制备 | 第85-86页 |
| ·Ba_8Ga_(16-x)Ag_xSn_(30)的热电性质 | 第86-90页 |
| ·VIII-Ba_8Ga_(16-x)Ag_xSn_(30)电子结构计算 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 5 I- Ba_8Ga_(16)In_xGe_(30-x)的结构及电输运特性研究 | 第94-104页 |
| ·研究背景 | 第94页 |
| ·P 型 Ge 基 Ba_8Ga_(16)In_xGe_(30-x)的制备 | 第94页 |
| ·Ba_8Ga_(16)In_xGe_(30-x)的 XPS 分析 | 第94-98页 |
| ·Ba_8Ga_(16)In_xGe_(30-x)的拉曼分析 | 第98-100页 |
| ·Ba_8Ga_(16)In_xGe_(30-x)的输运性质 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 6 M_8Ga_(16)Ge_(30)(M=Ba, Sr, Yb)结构及电子结构的第一性计算 | 第104-112页 |
| ·研究背景 | 第104页 |
| ·计算参数 | 第104页 |
| ·结构性质研究 | 第104-105页 |
| ·M_8Ga_(16)Ge_(30)的电子结构 | 第105-109页 |
| ·本章小结 | 第109-112页 |
| 7 压力调制对 Ba_8Ga_(16)Sn_(30)笼合物的结构和电子结构的影响 | 第112-122页 |
| ·研究背景 | 第112页 |
| ·计算参数 | 第112页 |
| ·Ba_8Ga_(16)Sn_(30)的两种结构特点 | 第112-114页 |
| ·压力对 Ba_8Ga_(16)Sn_(30)结构性质的影响 | 第114-117页 |
| ·压力对 Ba_8Ga_(16)Sn_(30)电子结构的影响 | 第117-121页 |
| ·本章小结 | 第121-122页 |
| 8 结论与展望 | 第122-126页 |
| ·本文的主要结论 | 第122-123页 |
| ·本文创新点 | 第123-124页 |
| ·后续工作及展望 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-142页 |
| 附录 | 第142-143页 |
| A. 博士期间发表的学术论文 | 第142-143页 |
| B. 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第143页 |
