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一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-15页
第一章 绪论第15-32页
   ·研究背景和意义第15-22页
     ·空间辐射环境第15-17页
     ·电离辐射效应第17-19页
     ·抗辐射存储器的应用需求第19-22页
   ·抗辐射存储器的研究现状第22-26页
     ·已有抗辐射存储器和新型存储器的研制进展第22-25页
     ·抗辐射反熔丝存储器的研制第25-26页
   ·抗辐射反熔丝PROM 研制的关键问题第26-29页
     ·反熔丝器件的制备技术研究第26-28页
     ·反熔丝器件的辐射效应第28页
     ·抗辐射加固设计第28-29页
   ·本文的主要工作及内容安排第29-32页
     ·主要贡献和创新第29-30页
     ·论文内容安排第30-32页
第二章 新型反熔丝器件的设计与实现第32-40页
   ·反熔丝器件概述第32-34页
   ·与商用Flash 工艺兼容的新型反熔丝器件结构第34-35页
   ·新型反熔丝器件的特性研究第35-38页
     ·编程特性第35-37页
     ·击穿后电阻特性第37-38页
   ·本章小结第38-40页
第三章 反熔丝PROM 的研制第40-54页
   ·反熔丝PROM 存储器概述第40页
   ·反熔丝PROM 的设计第40-49页
     ·电路设计第41-47页
     ·版图设计第47-49页
   ·反熔丝PROM 的测试第49-52页
     ·编程功能测试第50-51页
     ·读取功能测试第51-52页
   ·本章小结第52-54页
第四章 辐射效应测试方法研究第54-73页
   ·地面模拟辐射效应实验概述第54-56页
   ·总剂量辐射效应试验方法研究第56-62页
     ·总剂量辐射效应实验的相关术语第56-58页
     ·总剂量辐射效应测试流程第58-62页
   ·单粒子辐射效应实验方法研究第62-71页
     ·单粒子辐射效应实验的相关术语第62-63页
     ·单粒子效应地面模拟实验使用的模拟源简介第63-64页
     ·锎源与重离子加速器的单粒子效应对比研究第64-69页
     ·单粒子效应测试方法第69-71页
   ·本章小结第71-73页
第五章 基于CMOS 工艺的抗辐射加固设计研究第73-97页
   ·抗辐射加固方法概述第73-78页
     ·针对总剂量辐射效应的加固方法第73-75页
     ·针对单粒子闩锁效应的加固方法第75-78页
   ·封闭形栅的加固方法研究第78-92页
     ·封闭形栅的器件性能研究第79-86页
     ·封闭形栅的总剂量辐射效应研究第86-92页
   ·基于保护环的加固方法研究第92-95页
     ·测试样片第92-94页
     ·辐照环境与测试方法第94页
     ·实验结果与讨论第94-95页
   ·本章小结第95-97页
第六章 反熔丝PROM 的辐射效应研究第97-107页
   ·反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究第97-102页
     ·反熔丝存储器件的总剂量辐射效应研究第97-99页
     ·反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究第99-102页
   ·反熔丝PROM 的单粒子辐射效应研究第102-106页
     ·概述第102-104页
     ·实验环境与实验方法第104-105页
     ·实验结果与讨论第105-106页
   ·本章小结第106-107页
第七章 基于SRAM 的FPGA 和FLASH 存储器的辐射效应研究第107-119页
   ·概述第107页
   ·总剂量辐射效应研究第107-115页
     ·基于SRAM 的FPGA 的总剂量辐射效应研究第107-112页
     ·Flash 存储器的总剂量辐射效应研究第112-114页
     ·几种存储器的总剂量辐射效应对比第114-115页
   ·不同类型存储器的单粒子辐射效应研究第115-117页
     ·单粒子闩锁辐射效应的研究第115-116页
     ·单粒子翻转辐射效应的研究第116-117页
   ·本章小结第117-119页
第八章 结论与展望第119-122页
   ·工作总结第119-120页
   ·工作展望第120-122页
致谢第122-124页
参考文献第124-132页
博士在学期间的研究成果第132-133页

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