摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-15页 |
第一章 绪论 | 第15-32页 |
·研究背景和意义 | 第15-22页 |
·空间辐射环境 | 第15-17页 |
·电离辐射效应 | 第17-19页 |
·抗辐射存储器的应用需求 | 第19-22页 |
·抗辐射存储器的研究现状 | 第22-26页 |
·已有抗辐射存储器和新型存储器的研制进展 | 第22-25页 |
·抗辐射反熔丝存储器的研制 | 第25-26页 |
·抗辐射反熔丝PROM 研制的关键问题 | 第26-29页 |
·反熔丝器件的制备技术研究 | 第26-28页 |
·反熔丝器件的辐射效应 | 第28页 |
·抗辐射加固设计 | 第28-29页 |
·本文的主要工作及内容安排 | 第29-32页 |
·主要贡献和创新 | 第29-30页 |
·论文内容安排 | 第30-32页 |
第二章 新型反熔丝器件的设计与实现 | 第32-40页 |
·反熔丝器件概述 | 第32-34页 |
·与商用Flash 工艺兼容的新型反熔丝器件结构 | 第34-35页 |
·新型反熔丝器件的特性研究 | 第35-38页 |
·编程特性 | 第35-37页 |
·击穿后电阻特性 | 第37-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
第三章 反熔丝PROM 的研制 | 第40-54页 |
·反熔丝PROM 存储器概述 | 第40页 |
·反熔丝PROM 的设计 | 第40-49页 |
·电路设计 | 第41-47页 |
·版图设计 | 第47-49页 |
·反熔丝PROM 的测试 | 第49-52页 |
·编程功能测试 | 第50-51页 |
·读取功能测试 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52-54页 |
第四章 辐射效应测试方法研究 | 第54-73页 |
·地面模拟辐射效应实验概述 | 第54-56页 |
·总剂量辐射效应试验方法研究 | 第56-62页 |
·总剂量辐射效应实验的相关术语 | 第56-58页 |
·总剂量辐射效应测试流程 | 第58-62页 |
·单粒子辐射效应实验方法研究 | 第62-71页 |
·单粒子辐射效应实验的相关术语 | 第62-63页 |
·单粒子效应地面模拟实验使用的模拟源简介 | 第63-64页 |
·锎源与重离子加速器的单粒子效应对比研究 | 第64-69页 |
·单粒子效应测试方法 | 第69-71页 |
·本章小结 | 第71-73页 |
第五章 基于CMOS 工艺的抗辐射加固设计研究 | 第73-97页 |
·抗辐射加固方法概述 | 第73-78页 |
·针对总剂量辐射效应的加固方法 | 第73-75页 |
·针对单粒子闩锁效应的加固方法 | 第75-78页 |
·封闭形栅的加固方法研究 | 第78-92页 |
·封闭形栅的器件性能研究 | 第79-86页 |
·封闭形栅的总剂量辐射效应研究 | 第86-92页 |
·基于保护环的加固方法研究 | 第92-95页 |
·测试样片 | 第92-94页 |
·辐照环境与测试方法 | 第94页 |
·实验结果与讨论 | 第94-95页 |
·本章小结 | 第95-97页 |
第六章 反熔丝PROM 的辐射效应研究 | 第97-107页 |
·反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究 | 第97-102页 |
·反熔丝存储器件的总剂量辐射效应研究 | 第97-99页 |
·反熔丝PROM 的总剂量辐射效应研究 | 第99-102页 |
·反熔丝PROM 的单粒子辐射效应研究 | 第102-106页 |
·概述 | 第102-104页 |
·实验环境与实验方法 | 第104-105页 |
·实验结果与讨论 | 第105-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
第七章 基于SRAM 的FPGA 和FLASH 存储器的辐射效应研究 | 第107-119页 |
·概述 | 第107页 |
·总剂量辐射效应研究 | 第107-115页 |
·基于SRAM 的FPGA 的总剂量辐射效应研究 | 第107-112页 |
·Flash 存储器的总剂量辐射效应研究 | 第112-114页 |
·几种存储器的总剂量辐射效应对比 | 第114-115页 |
·不同类型存储器的单粒子辐射效应研究 | 第115-117页 |
·单粒子闩锁辐射效应的研究 | 第115-116页 |
·单粒子翻转辐射效应的研究 | 第116-117页 |
·本章小结 | 第117-119页 |
第八章 结论与展望 | 第119-122页 |
·工作总结 | 第119-120页 |
·工作展望 | 第120-122页 |
致谢 | 第122-124页 |
参考文献 | 第124-132页 |
博士在学期间的研究成果 | 第132-133页 |