| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-24页 |
| ·引言 | 第11-15页 |
| ·铁电材料及其铁电性 | 第11-12页 |
| ·电滞回线 | 第12-13页 |
| ·压电效应 | 第13-14页 |
| ·无铅铁电材料的发展与意义 | 第14-15页 |
| ·铁电陶瓷材料的研究状况 | 第15-20页 |
| ·铁电陶瓷材料的用途与研究动向 | 第15-16页 |
| ·铁电陶瓷材料的制备方法 | 第16-18页 |
| ·Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基陶瓷材料的研究状况 | 第18-20页 |
| ·铁电薄膜材料的研究状况 | 第20-23页 |
| ·铁电薄膜材料的用途与研究动向 | 第20-21页 |
| ·铁电薄膜材料的制备方法 | 第21-22页 |
| ·Bi系列钙钛矿结构薄膜材料的研究状况 | 第22-23页 |
| ·论文工作的提出及研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验条件和测试手段 | 第24-28页 |
| ·实验仪器和药品 | 第24-26页 |
| ·实验药品 | 第24-25页 |
| ·实验仪器 | 第25-26页 |
| ·材料的表征方法 | 第26-28页 |
| ·热重-差热分析(TG-DSC) | 第26页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第26页 |
| ·激光粒度分析 | 第26页 |
| ·比表面积(BET) | 第26页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第26-27页 |
| ·综合铁电测试系统 | 第27-28页 |
| 第三章 Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基纳米陶瓷材料的制备、表征及铁电性能研究 | 第28-60页 |
| ·制备BNT-BT陶瓷粉体最优条件的选择 | 第28-31页 |
| ·BNT-BT陶瓷粉体不同配比在800℃温度下煅烧系列 | 第28-30页 |
| ·0.95BNT-0.05BT不同焙烧温度系列 | 第30页 |
| ·BNT-BT陶瓷粉体不同配比在600℃温度下焙烧系列 | 第30-31页 |
| ·对BNT-BT陶瓷粉体进行表征后的结果与讨论 | 第31-42页 |
| ·TG曲线 | 第31-33页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第33-38页 |
| ·比表面积的测定(BET) | 第38-40页 |
| ·激光粒度分析 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| ·BNT-BT不同配比系列陶瓷的制备 | 第42-44页 |
| ·对BNT-BT陶瓷片进行表征后的结果与讨论 | 第44-60页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第44-46页 |
| ·SEM分析 | 第46-47页 |
| ·电滞回线测量(P-E loop) | 第47-59页 |
| ·讨论与小结 | 第59-60页 |
| 第四章 Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基纳米薄膜材料的制备、表征及铁电性能研究 | 第60-87页 |
| ·Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3薄膜材料的制备 | 第60-62页 |
| ·BNT薄膜不同浓度相同涂层系列 | 第60-62页 |
| ·BNT薄膜相同浓度不同涂层系列 | 第62页 |
| ·BNT薄膜电极的制备 | 第62页 |
| ·BNT薄膜的结果与讨论 | 第62-81页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第62-64页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第64-69页 |
| ·BNT薄膜电滞回线(P-E loops) | 第69-81页 |
| ·小结 | 第81页 |
| ·0.90Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.10BaTiO_3薄膜材料的制备 | 第81-82页 |
| ·0.4 mol/l前驱溶液的配制 | 第81-82页 |
| ·0.90BNT-0.10BT薄膜的制备 | 第82页 |
| ·0.90BNT-0.10BT薄膜的结果与讨论 | 第82-87页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第82-83页 |
| ·SEM分析 | 第83页 |
| ·电滞回线的测量 | 第83-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| 第五章 总结论与展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 个人简历和在学期间发表的学术论文 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
