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半导体低微结构的光学性质研究

摘要第1-10页
Abstract第10-12页
符号说明第12-13页
第一章 绪论第13-19页
   ·选题动机第13-16页
     ·课题研究的背景及理论意义第13页
     ·国际上研究的现状第13-14页
     ·实验及理论上的优越性第14-15页
     ·问题的提出及本课题的主要研究内容第15-16页
   ·本课研究题的潜在意义第16-19页
     ·太赫兹波第16-17页
     ·太赫兹波的应用第17-19页
第二章 样品的生长制备与实验测量第19-26页
   ·样品生长制备第19-24页
     ·分子束外延(MBE)技术第19-22页
     ·本文研究所用样品的生长与结构特征第22-24页
   ·研究样品实验数据的测量第24-26页
     ·Renishaw Raman影像显微光谱仪第24-25页
     ·Nicolet Fourier变换红外光谱仪第25-26页
第三章 限制在量子阱中受主的能级分布第26-29页
第四章 Be受主delta掺杂GaAs/AlAs多量子阱光谱分析第29-53页
   ·PL谱第29-39页
     ·PL简介第29-30页
     ·PL谱分析第30-39页
     ·PL谱小结第39页
   ·共振Raman散射谱第39-48页
     ·Raman散射简介第39-40页
     ·共振Raman散射谱分析第40-47页
     ·共振Raman散射谱小结第47-48页
   ·Fourier变换红外吸收光谱第48-53页
     ·Fourier变换红外光谱简介第48页
     ·Fourier变换红外吸收光谱分析第48-52页
     ·Fourier变换红外吸收光谱小结第52-53页
第五章 实验结果总结与展望第53-56页
   ·实验总结第53-55页
   ·前景展望第55-56页
参考文献第56-61页
致谢第61-62页
攻读学位期间发表的学术论文目录及参与课题第62-63页
学位论文评阅及答辩情况表第63页

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