| 内容提要 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·InN 材料的基本性质 | 第15-23页 |
| ·InN 材料的晶体结构 | 第15-17页 |
| ·InN 材料的电学特性 | 第17-20页 |
| ·InN 材料的光学特性 | 第20-23页 |
| ·InN 材料的应用及进展 | 第23-25页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 InN 材料的分子束外延设备及样品表征方法 | 第27-38页 |
| ·分子束外延的基本原理 | 第27-28页 |
| ·射频等离子体分子束外延设备 | 第28-32页 |
| ·超高真空系统 | 第28-29页 |
| ·样品台加热系统 | 第29页 |
| ·固体束源炉系统 | 第29-30页 |
| ·射频等离子体源(RF Plasma source)系统 | 第30页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)系统 | 第30-32页 |
| ·薄膜及器件的表征方法 | 第32-38页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第32-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第33-35页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 |
| ·光致发光谱(Photoluminescence spectra) | 第36-37页 |
| ·电致发光谱(Electroluminescence spectra) | 第37-38页 |
| 第三章 InN 材料的分子束外延生长及性能研究 | 第38-74页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·Si 衬底上 InN 材料的生长和特性研究 | 第38-54页 |
| ·In 源温度对生长的影响 | 第38-42页 |
| ·N2流量对 In/N 比例的影响 | 第42-44页 |
| ·成核层温度对生长的影响 | 第44-49页 |
| ·主外延层温度对生长的影响 | 第49-54页 |
| ·GaN 衬底上 InN 材料的生长和特性研究 | 第54-66页 |
| ·不同温度主外延层对 InN 材料特性的影响 | 第54-61页 |
| ·不同温度成核层对主外延层的影响 | 第61-66页 |
| ·c 面蓝宝石衬底上 InN 材料的生长和特性研究 | 第66-72页 |
| ·c 面蓝宝石衬底上 InN 材料生长方法的优化 | 第67-70页 |
| ·c 面蓝宝石衬底上 InN 材料特性研究 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 氮化铟薄膜的光电子能谱研究 | 第74-86页 |
| ·原位光电子能谱测试系统 | 第74页 |
| ·光电子能谱测试基本原理 | 第74-77页 |
| ·结合能的测量 | 第75-76页 |
| ·化学位移与荷电效应 | 第76-77页 |
| ·InN 材料化学态的研究 | 第77-82页 |
| ·俄歇参数法和瓦格纳谱法 | 第78-79页 |
| ·InN 材料的俄歇参数和瓦格纳谱 | 第79-82页 |
| ·InN 的材料特性研究 | 第82-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 氮化铟基发光器件的制备及研究 | 第86-101页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·n-InN/p-GaN 异质结器件的制备及薄膜特性分析 | 第86-92页 |
| ·n-InN/p-GaN 异质结器件的制备 | 第86-87页 |
| ·n-InN/p-GaN 异质结器件材料特性的研究 | 第87-89页 |
| ·n-InN/p-GaN 异质结器件特性分析 | 第89-92页 |
| ·n-InN nanodots/p-Si 异质结器件的制备及薄膜特性分析 | 第92-99页 |
| ·n-InN nanodots/p-Si 异质结器件的制备 | 第93-94页 |
| ·n-InN nanodots/p-Si 异质结器件材料特性的研究 | 第94-96页 |
| ·n-InN nanodots/p-Si 异质结器件特性分析 | 第96-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 结论 | 第101-104页 |
| 本论文的创新点 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-112页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
