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Ⅱ-Ⅵ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第1章 绪论第13-41页
   ·X射线吸收谱学第13-18页
     ·X射线吸收精细结构(XAFS)第13-16页
     ·XAFS方法在纳米材料领域的应用第16-18页
   ·CdSe半导体纳米晶第18-20页
     ·半导体纳米晶第18-19页
     ·CdSe纳米晶生长机理第19-20页
   ·Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米晶第20-26页
     ·稀磁半导体第20-22页
     ·稀磁半导体的理论体系第22-23页
     ·Co掺杂ZnO体系第23-24页
     ·纳米稀磁半导体材料第24-26页
   ·Se纳米管第26-31页
     ·纳米管第26-27页
     ·三方相Se纳米管第27-28页
     ·三方相Se纳米管的形成机理研究第28-31页
 参考文献第31-41页
第2章 XAFS基本理论,数据分析及实验方法第41-67页
   ·EAXFS基本理论第41-48页
     ·X射线吸收第41-45页
     ·XAFS基本方程的推导第45-47页
     ·EXAFS基本方程的一些修正第47-48页
   ·EXAFS数据分析第48-55页
     ·EXAFS数据分析的基本步骤第49-51页
     ·EXAFS数据中的信息量第51-52页
     ·EXAFS数据分析软件第52-55页
   ·XAFS实验第55-64页
     ·同步辐射XAFS光束线和实验站第55-59页
     ·透射式XAFS第59-61页
     ·荧光式XAFS第61-64页
 参考文献第64-67页
第3章 CdSe半导体纳米晶的生长机理第67-83页
   ·样品的制备第67-68页
     ·化学合成过程第67-68页
     ·尺寸选择分离过程第68页
   ·测试手段及设备第68-70页
     ·紫外可见光谱(UV-Vis)第68-69页
     ·X射线衍射(XRD)第69页
     ·高分辨透射电镜(HR-TEM)第69页
     ·X射线吸收谱(XAFS)第69-70页
   ·实验结果结果与讨论第70-76页
     ·UV-Vis结果和分析第70页
     ·XRD结果和分析第70-72页
     ·HR-TEM结果和分析第72-73页
     ·XAFS结果和分析第73-76页
   ·讨论第76-79页
   ·结论第79-80页
 参考文献第80-83页
第4章 Co掺杂ZnO纳米晶的结构和磁性第83-101页
   ·样品的制备第83-84页
     ·反应前驱物的制备第83页
     ·高温裂解金属有机前驱物制备Zn_(1-x)Co_xO纳米晶第83-84页
   ·测试手段及设备第84-86页
     ·X射线衍射(XRD)第84-85页
     ·高分辨透射电镜(HR-TEM)第85页
     ·超导量子干涉仪(SQUID)第85页
     ·X射线吸收谱(XAFS)第85-86页
   ·实验结果分析第86-92页
     ·XRD结果与分析第86-87页
     ·HR-TEM结果与分析第87页
     ·SQUID结果与分析第87-89页
     ·XAFS结果与分析第89-92页
   ·讨论第92-97页
     ·Zn_(1-x)Co_xO纳米晶与体相和薄膜材料的比较第92-93页
     ·有效掺杂的Co~(2+):ZnO对磁性的影响第93-95页
     ·金属Co团簇对样品的磁性影响第95-97页
   ·结论第97-98页
 参考文献第98-101页
第5章 Se纳米管的生长机理第101-119页
   ·样品的制备第101-102页
   ·样品的测试第102-104页
     ·X射线衍射(XRD)第102-103页
     ·场发射扫描电子显微镜(FESEM)第103页
     ·透射电子显微镜(TEM)第103页
     ·拉曼光谱第103-104页
     ·X射线吸收谱(XAFS)第104页
   ·实验结果与分析第104-112页
     ·反应最终产物的SEM和XRD结果与分析第104-105页
     ·TEM结果与分析第105-107页
     ·XAFS结果与分析第107-112页
   ·讨论第112-116页
     ·反应动力学过程第112-114页
     ·可见光辐照辅助法制备Se纳米管的形成机理第114-116页
   ·结论第116-118页
 参考文献第118-119页
在读期间发表的学术论文第119-121页
致谢第121页

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