低功耗高稳定性八管SRAM单元电路设计

摘要	第1-6页
Abstract	第6-8页
第一章 引论	第8-16页
·SRAM 在存储器体系结构中的作用	第8-11页
·SRAM 和 DRAM 的区别和联系	第8-10页
·分级存储器体系	第10-11页
·SRAM 系统结构	第11-14页
·论文结构	第14-16页
第二章 传统SRAM 单元电路介绍	第16-28页
·六管SRAM 存储单元电路的设计和读写操作	第17-23页
·读操作	第18-19页
·写操作	第19-21页
·读写操作仿真	第21-23页
·四管SRAM 存储单元电路的设计和读写操作	第23-28页
第三章 新型SRAM 单元电路设计	第28-38页
·改进型的七管SRAM 单元电路结构和读写操作	第28-33页
·新型的八管SRAM 存储单元电路	第33-38页
第四章 SRAM 单元性能分析和实验结果	第38-68页
·SRAM 单元面积	第38-40页
·读操作速度	第40-43页
·写操作余量	第43-50页
·SRAM 单元的静态噪声余量	第50-56页
·反相器的 VIL, VIH, VOL 和VOH	第50-51页
·斜率为-1 的点的噪声余量	第51页
·面积最大的方块的一边作为SNM	第51-55页
·三种SRAM 单元电路的SNM	第55-56页
·MOS 晶体管中的漏电流	第56-62页
·栅漏电流	第56-57页
·亚阈值漏电流	第57页
·反向偏置PN 结漏电流	第57-58页
·SRAM 单元的漏电流	第58-62页
·动态功耗	第62-68页
第五章 结论和未来的工作	第68-70页
致谢	第70-72页
参考文献	第72-75页