| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 第二章 AlN/GaN单异质结中准二维电子的迁移率 | 第11-22页 |
| ·基态电子的变分波函数 | 第11-12页 |
| ·单异质结系统的哈密顿量及声子势 | 第12-14页 |
| ·Lei-Ting平衡方程理论 | 第14-19页 |
| ·光学声子散射下的准二维电子迁移率 | 第19-22页 |
| 第三章 压力及应变对准二维电子迁移率的影响 | 第22-27页 |
| ·压力及应变对参数的修正 | 第22-23页 |
| ·压力下应变异质结中电子的迁移率 | 第23-26页 |
| ·结论 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 致谢 | 第30-31页 |
| 攻读硕士学位期间发表及完成的论文 | 第31页 |