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压力下光学声子对应变纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 引言第8-11页
第二章 AlN/GaN单异质结中准二维电子的迁移率第11-22页
   ·基态电子的变分波函数第11-12页
   ·单异质结系统的哈密顿量及声子势第12-14页
   ·Lei-Ting平衡方程理论第14-19页
   ·光学声子散射下的准二维电子迁移率第19-22页
第三章 压力及应变对准二维电子迁移率的影响第22-27页
   ·压力及应变对参数的修正第22-23页
   ·压力下应变异质结中电子的迁移率第23-26页
   ·结论第26-27页
参考文献第27-30页
致谢第30-31页
攻读硕士学位期间发表及完成的论文第31页

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