摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
1 绪论 | 第13-24页 |
·选题背景和研究意义 | 第13-14页 |
·合金价电子结构与合金成分设计研究现状 | 第14-15页 |
·理论基础 | 第15-22页 |
·余氏理论的基本思想及在材料研究中的应用 | 第15-18页 |
·程氏改进的TFD理论 | 第18-19页 |
·程氏改进的TFD理论与余氏理论(EET)的关系 | 第19-20页 |
·固相合金中的C-Me偏聚理论及其应用 | 第20-22页 |
·本文的主要研究内容 | 第22-24页 |
2 相平面价电子结构的计算方法 | 第24-40页 |
·相空间价电子结构的计算 | 第24-26页 |
·等同键数I_α的计算 | 第24-25页 |
·建立logr_a方程 | 第25-26页 |
·建立n_A方程 | 第26页 |
·理论共价键距的计算 | 第26页 |
·相平面价电子结构的计算 | 第26-28页 |
·平面参考单元及其原子数量 | 第27页 |
·等同键数I_(fα)的计算 | 第27-28页 |
·参考单元内的共价电子数n_c~({hkl}) | 第28页 |
·平面电子密度 | 第28页 |
·α-Fe{110}、γ-Fe{111)及Fe_3C(001)面的价电子结构计算 | 第28-36页 |
·α-Fe{110}面的价电子结构 | 第28-30页 |
·γ-Fe{111)面的价电子结构 | 第30-33页 |
·Fe_3C(001)面共价电子密度的计算 | 第33-36页 |
·相界面电子密度的连续性 | 第36-38页 |
·相界面电子密度连续的表示方法 | 第37页 |
·关于改进的TFD理论中的电子边界条件应用于EET上的推理和证明 | 第37-38页 |
·相界面电子密度连续思想的应用 | 第38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
3 晶体结构中的原子定态 | 第40-56页 |
·原子状态判定因子w | 第40-41页 |
·奥氏体中Fe原子杂化状态的确定 | 第41-45页 |
·基本思想 | 第41-42页 |
·平均晶胞模型 | 第42页 |
·奥氏体{111}面的电子密度 | 第42-43页 |
·奥氏体中Fe原子杂化状态的确定 | 第43-45页 |
·马氏体中Fe原子杂化状态的确定 | 第45-51页 |
·马氏体含碳结构单元空间价电子结构分析 | 第45-48页 |
·马氏体含碳结构单元{110}面价电子结构分析 | 第48-49页 |
·马氏体中铁原子杂化状态的分析 | 第49-51页 |
·奥氏体中Fe-C-Me晶胞原子杂化状态的确定 | 第51-55页 |
·奥氏体Fe-C-Me晶胞的价电子结构分析 | 第51-52页 |
·奥氏体Fe-C-Me晶胞{111}面的价电子结构分析 | 第52页 |
·Fe-C-Me晶胞中的原子杂化状态的分析与确定 | 第52-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
4 金属滑移面的价电子结构特性 | 第56-64页 |
·平面价电子结构 | 第56-61页 |
·A_1型结构的金属平面价电子结构 | 第56-57页 |
·A_2型结构的金属平面价电子结构 | 第57-58页 |
·A_3型结构的金属平面价电子结构 | 第58-61页 |
·平面上的原子与异面原子之间的价电子结构 | 第61-62页 |
·滑移面的价电子结构特性及滑移方向 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
5 马氏体相变时的位向关系的价电子理论 | 第64-71页 |
·奥氏体含碳晶胞的几个低指数晶面电子密度的计算 | 第64-66页 |
·奥氏体含碳晶胞(100)面的电子密度 | 第64-65页 |
·奥氏体含碳晶胞(110)面的电子密度 | 第65页 |
·奥氏体含碳晶胞(111)面的电子密度 | 第65-66页 |
·马氏体含碳晶胞的几个低指数晶面电子密度的计算 | 第66-68页 |
·马氏体含碳晶胞(100)面的电子密度 | 第66-67页 |
·马氏体含碳晶胞(110)面的电子密度 | 第67页 |
·马氏体含碳晶胞(112)面的电子密度 | 第67-68页 |
·奥氏体和马氏体的几个低指数晶面的电子密度 | 第68-69页 |
·奥氏体的几个低指数晶面的电子密度 | 第68页 |
·马氏体的几个低指数晶面的电子密度 | 第68-69页 |
·马氏体相变时位向关系的价电子理论分析 | 第69页 |
·本章小结 | 第69-71页 |
6 合金元素对奥氏体相变点(Ms)影响的价电子理论 | 第71-80页 |
·合金奥氏体的价电子结构 | 第71-74页 |
·合金奥氏体Fe-C-Me晶胞的价电子结构 | 第71-73页 |
·计算实例 | 第73-74页 |
·Fe-C-Me晶胞中的共价键键能 | 第74-76页 |
·共价键键能 | 第74-75页 |
·共价键键能的影响因素 | 第75页 |
·Fe-C-Me晶胞最强键和次强键的共价键键能 | 第75-76页 |
·合金元素对奥氏体相变点(Ms)的影响 | 第76-78页 |
·本章小结 | 第78-80页 |
7 固溶体的价电子结构及固溶强化 | 第80-92页 |
·余氏理论计算固溶体价电子结构的模型 | 第80-81页 |
·平均原子模型 | 第80-81页 |
·平均晶胞模型 | 第81页 |
·Fe基置换固溶体的价电子结构 | 第81-86页 |
·晶格常数的计算 | 第81-82页 |
·实验键距、等同键数 | 第82-83页 |
·建立logra方程 | 第83页 |
·建立n_A方程 | 第83-84页 |
·理论键距的计算 | 第84页 |
·原子杂化状态定态的一般准则 | 第84页 |
·计算实例 | 第84-86页 |
·Al-Mg置换固溶体的价电子结构 | 第86-87页 |
·含溶质晶胞点阵常数的计算方法 | 第86页 |
·Al-Mg置换固溶体中含溶质原子晶胞的价电子结构计算 | 第86-87页 |
·Fe基间隙固溶体的价电子结构 | 第87-90页 |
·γ-Fe-C间隙固溶体的价电子结构 | 第87-89页 |
·含碳量对γ-Fe-C间隙固溶体含碳晶胞n_A值的影响 | 第89-90页 |
·固溶强化的价电子理论分析 | 第90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
8 结论 | 第92-94页 |
致谢 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-102页 |
攻读博士学位期间发表论文 | 第102页 |