| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·碳化硅材料和碳化硅MOSFET的发展现状 | 第11-18页 |
| ·碳化硅材料的优势 | 第11-12页 |
| ·SiC材料及器件的研究现状 | 第12-14页 |
| ·SiC MOSFET的研究进展及存在的主要的问题 | 第14-18页 |
| ·肖特基势垒源漏MOSFET概述 | 第18-23页 |
| ·肖特基势垒源漏MOSFET的优势 | 第18-19页 |
| ·SBSD-MOSFET的研究现状 | 第19-23页 |
| ·本文的主要工作 | 第23-25页 |
| 第二章 SiC肖特基接触模型 | 第25-42页 |
| ·肖特基势垒 | 第25-30页 |
| ·表面电场 | 第25-28页 |
| ·势垒高度 | 第28-30页 |
| ·SiC肖特基接触的隧穿效应 | 第30-34页 |
| ·隧穿效应 | 第30-31页 |
| ·WKB近似方法 | 第31-32页 |
| ·三角形势垒的隧穿几率的精确求解 | 第32-34页 |
| ·SiC肖特基结的电流输运模型 | 第34-41页 |
| ·肖特基二极管已有的理论模型 | 第34-36页 |
| ·SiC肖特基结的电流输运模型 | 第36-38页 |
| ·模拟结果的比较 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 SiC SBSD-MOSFET的数值—解析模型 | 第42-69页 |
| ·SiC SBSD-MOSFET输运机理的研究 | 第42-50页 |
| ·基本输运机理 | 第42-43页 |
| ·势垒高度的变化 | 第43-45页 |
| ·SBSD-MOSFET的各个工作区域。 | 第45-47页 |
| ·SBSD-MOSFET的关态泄漏电流机理 | 第47-49页 |
| ·简单的电路模型 | 第49-50页 |
| ·有效沟道厚度 | 第50-54页 |
| ·SiC MOS结构表面空间电荷区的数值求解 | 第50-51页 |
| ·有效沟道厚度的概念 | 第51-54页 |
| ·等效电子浓度 | 第54页 |
| ·SiC SBSD-NMOSFET的数值解析模型 | 第54-60页 |
| ·数值解析模型 | 第54-56页 |
| ·模拟结果与分析 | 第56-60页 |
| ·阈值电压 | 第60-65页 |
| ·沟道阈值和势垒阈值 | 第61-62页 |
| ·SBSD-MOSFET的阈值电压分析 | 第62-65页 |
| ·亚阈区分析 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 6H-SiC SBSD-MOSFET的实验研制 | 第69-84页 |
| ·初步的实验研制 | 第69-72页 |
| ·实验材料和关键工艺 | 第69页 |
| ·版图设计及工艺流程 | 第69-71页 |
| ·实验结果及分析 | 第71-72页 |
| ·侧墙对器件特性的影响 | 第72-76页 |
| ·多晶硅做源漏接触的改进方案 | 第76-82页 |
| ·基本设想 | 第76-77页 |
| ·可行性分析 | 第77-79页 |
| ·SiC多晶硅源漏-MOSFET的工作机理 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 6H-SiC多晶硅源漏-MOSFET的工艺研究 | 第84-103页 |
| ·实验材料 | 第84页 |
| ·版图设计 | 第84-87页 |
| ·器件的版图 | 第84-85页 |
| ·正面接地的C-V测试图形 | 第85-87页 |
| ·关键工艺参数的确定 | 第87-92页 |
| ·多晶硅刻蚀 | 第87页 |
| ·氧化条件 | 第87-88页 |
| ·多晶硅淀积厚度 | 第88页 |
| ·多晶硅掺杂 | 第88-92页 |
| ·工艺流程 | 第92页 |
| ·实验结果及分析 | 第92-99页 |
| ·多晶硅欧姆接触实验 | 第92-94页 |
| ·6H-SiC多晶硅源漏-MOSFET实验结果和分析 | 第94-99页 |
| ·带有场致源漏扩展效应的SBSD-MOSFET | 第99-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 结论 | 第103-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-119页 |
| 研究成果 | 第119-120页 |
