多孔硅的表面处理及其对光致发光性能的影响
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-20页 |
| ·多孔硅材料的研究意义 | 第6-7页 |
| ·多孔硅材料的研究概况 | 第7页 |
| ·多孔硅材料的表面修饰 | 第7-11页 |
| ·表面氧化处理 | 第8页 |
| ·氮的热退火钝化多孔硅 | 第8页 |
| ·碳膜钝化多孔硅表面 | 第8-9页 |
| ·金属钝化多孔硅表面 | 第9-11页 |
| ·离子辐照对多孔硅材料发光性能的影响 | 第11-15页 |
| ·高能离子辐照 | 第11-13页 |
| ·低能离子辐照 | 第13-14页 |
| ·其它辐照处理 | 第14-15页 |
| ·离子辐照钝化机理 | 第15页 |
| ·存放环境对多孔硅材料发光性能的影响 | 第15-17页 |
| ·低温退火对多孔硅材料发光性能的影响 | 第17-18页 |
| ·本试验的思路及创新之处 | 第18-20页 |
| 第二章 试验材料与装置 | 第20-26页 |
| ·试验材料 | 第20页 |
| ·试验装备与测试设备 | 第20-23页 |
| ·多孔硅电化学刻蚀装置 | 第20-21页 |
| ·JGP450G 型三靶共溅射高真空磁控溅射设备 | 第21页 |
| ·GSL1600X 真空管式高温炉 | 第21-22页 |
| ·井式退火炉 | 第22页 |
| ·超声波清洗器 | 第22页 |
| ·光致发光性能测试 | 第22页 |
| ·表面价键分析 | 第22-23页 |
| ·非晶化检测 | 第23页 |
| ·样品的制备 | 第23-26页 |
| ·电化学刻蚀多孔硅 | 第23页 |
| ·低能离子辐照 | 第23-24页 |
| ·退火工艺 | 第24-25页 |
| ·低温退火工艺 | 第24-25页 |
| ·快速退火工艺 | 第25页 |
| ·硅纳米颗粒的制备 | 第25-26页 |
| 第三章 试验结果与讨论 | 第26-47页 |
| ·低能离子辐照多孔硅 | 第26-38页 |
| ·低能氩离子辐照多孔硅 | 第26-31页 |
| ·光致发光性能 | 第26-27页 |
| ·表面化学键的分析 | 第27-29页 |
| ·非晶化测试 | 第29-30页 |
| ·辐照后多孔硅PL 强度变化的原因分析 | 第30-31页 |
| ·低能氮离子辐照多孔硅 | 第31-35页 |
| ·光致发光性能 | 第31-32页 |
| ·表面化学键的变化 | 第32-34页 |
| ·非晶化检测 | 第34页 |
| ·Si-N 键的作用 | 第34-35页 |
| ·低能氧离子辐照多孔硅 | 第35-38页 |
| ·光致发光性能 | 第35-36页 |
| ·表面化学键的分析 | 第36-38页 |
| ·存放环境对离子辐照后多孔硅发光性能的影响 | 第38-41页 |
| ·光致发光性能 | 第38-39页 |
| ·表面化学键的分析 | 第39-41页 |
| ·退火对多孔硅发光性能的影响 | 第41-43页 |
| ·退火的目的 | 第41页 |
| ·光致发光性能 | 第41-43页 |
| ·表面化学键的变化 | 第43页 |
| ·利用多孔硅制备发光纳米硅颗粒 | 第43-46页 |
| ·今后的研究方向 | 第46-47页 |
| 第四章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
