| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| ·光电功能材料中掺杂过渡离子的作用 | 第9-10页 |
| ·3d~5 离子电子顺磁共振的研究现状 | 第10-11页 |
| 第二章 晶体场理论 | 第11-25页 |
| ·晶体场理论的简介 | 第11-13页 |
| ·晶体场理论发展概况 | 第11-12页 |
| ·晶体场理论简介 | 第12-13页 |
| ·晶场体系哈密顿量与耦合方案 | 第13-17页 |
| ·晶体场体系哈密顿量 | 第13-14页 |
| ·晶体场耦合方案 | 第14-17页 |
| ·晶体场的三种模型 | 第17-19页 |
| ·点电荷模型 | 第17页 |
| ·点电荷-偶极模型 | 第17-18页 |
| ·重叠模型 | 第18页 |
| ·三种晶场模型的比较 | 第18-19页 |
| ·晶场能级分裂 | 第19-23页 |
| ·晶体场势能 | 第19-20页 |
| ·晶场分裂 | 第20-21页 |
| ·静电矩阵的建立和计算 | 第21-23页 |
| ·能量矩阵的建立和晶场矩阵元的计算 | 第23-25页 |
| 第三章 电子顺磁共振理论 | 第25-32页 |
| ·电子顺磁共振简介 | 第25-26页 |
| ·电子顺磁共振基本原理 | 第26-27页 |
| ·电子顺磁共振谱的描述 | 第27-30页 |
| ·g 因子 | 第28页 |
| ·精细结构和零场分裂 | 第28-29页 |
| ·超精细结构 | 第29-30页 |
| ·电子顺磁共振的自旋哈密顿理论 | 第30-32页 |
| ·顺磁体系的哈密顿量 | 第30页 |
| ·自旋哈密顿理论 | 第30-31页 |
| ·本工作3d~5 体系自旋哈密顿参量理论研究的思路 | 第31-32页 |
| 第四章 八面体中3d~5离子自旋哈密顿参量的理论公式 | 第32-39页 |
| ·3d~5 组态的晶场能级分裂 | 第32-34页 |
| ·八面体中3d~5 离子自旋哈密顿参量微扰公式 | 第34-39页 |
| ·八面体中的单电子波函数 | 第34-35页 |
| ·改进的g 因子和超精细结构常数微扰公式 | 第35-36页 |
| ·八面体中3d~5 离子的旋轨耦合系数等参量的表达式 | 第36-37页 |
| ·八面体中3d~5 离子超超精细结构参量的公式 | 第37-39页 |
| 第五章 改进公式的应用 | 第39-51页 |
| ·氟钙钛矿ABF_3 和LiF 中Mn~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第39-45页 |
| ·ABF_3:Mn~(2+)自旋哈密顿参量的理论研究 | 第40-43页 |
| ·LiF: Mn~(2+)自旋哈密顿参量的理论研究 | 第43-45页 |
| ·Si 单晶中八面体填隙位Mn~(2+)和Cr~+中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第45-47页 |
| ·计算与说明 | 第45-47页 |
| ·NaX:Cr~+(X = F, Cl, Br)的自旋哈密顿参量的理论研究 | 第47-51页 |
| ·计算 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-51页 |
| 第六章 主要结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第62-63页 |
