| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 前言 | 第11-14页 |
| 第1章 文献综述 | 第14-53页 |
| ·场致电子发射及其应用领域 | 第14-15页 |
| ·场致电子发射的特点 | 第14页 |
| ·场致电子发射的应用领域 | 第14-15页 |
| ·场发射理论 | 第15-22页 |
| ·金属场发射理论 | 第15-18页 |
| ·半导体场发射理论 | 第18-21页 |
| ·薄膜场发射理论 | 第21-22页 |
| ·场发射阴极材料 | 第22-32页 |
| ·真空微电子器件对场发射阴极材料的要求 | 第22-23页 |
| ·微尖型场发射阵列(FEA)材料 | 第23-26页 |
| ·碳纳米管及其它一维纳米材料 | 第26-29页 |
| ·薄膜材料 | 第29-31页 |
| ·几种典型的阴极材料的场发射性能的比较 | 第31-32页 |
| ·非晶碳膜 | 第32-52页 |
| ·非晶碳膜的结构 | 第32-38页 |
| ·非晶碳膜的表征 | 第38-42页 |
| ·非晶碳膜的制备 | 第42-43页 |
| ·非晶碳膜的场发射性能研究 | 第43-52页 |
| ·本论文的研究目标和研究内容 | 第52-53页 |
| 第2章 实验流程及设备 | 第53-59页 |
| ·衬底处理 | 第53-54页 |
| ·非晶碳膜制备及表面处理 | 第54-56页 |
| ·非晶碳膜制备-MPCVD | 第54-56页 |
| ·表面处理 | 第56页 |
| ·非晶碳膜特性分析 | 第56-59页 |
| ·形貌和结构 | 第56页 |
| ·场发射性能测试 | 第56-59页 |
| 第3章 纳米非晶碳膜的制备及其工艺优化 | 第59-70页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·MPCVD工艺参数对碳膜场发射性能的影响 | 第60-64页 |
| ·正交实验设计 | 第60页 |
| ·正交试验结果分析 | 第60-64页 |
| ·最优实验条件下碳膜的场发射特性 | 第64-66页 |
| ·最优实验条件下碳膜的结构 | 第66-69页 |
| ·形貌 | 第66-67页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第67页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第67页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 非晶碳膜结构和场发射性能之间的关系 | 第70-87页 |
| ·非晶碳膜的场发射稳定性 | 第70-72页 |
| ·非晶碳膜的微观场发射特性 | 第72-73页 |
| ·sp~2/sp~3碳含量对非晶碳膜场发射性能的影响 | 第73-78页 |
| ·放电过程对非晶碳膜场发射性能的影响 | 第74页 |
| ·放电过程对非晶碳膜成分和价键结构的影响 | 第74-78页 |
| ·氢等离子体处理对非晶碳膜场发射性能的影响 | 第78-83页 |
| ·分析和讨论 | 第83-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第5章 氢吸附对sp~2相非晶碳膜功函数及场发射性能的影响 | 第87-102页 |
| ·sp~2相非晶碳膜的制备及其场发射特性 | 第87-89页 |
| ·实验过程 | 第87页 |
| ·实验结果分析 | 第87-89页 |
| ·氢吸附对sp~2相非晶碳膜场发射特性的影响 | 第89-91页 |
| ·氢吸附对石墨(0001)表面功函数的影响 | 第91-101页 |
| ·理论基础 | 第91-95页 |
| ·物理模型和计算参数 | 第95页 |
| ·计算结果与讨论 | 第95-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第6章 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-120页 |
| 附录1:攻读博士期间发表的论文及成果 | 第120-121页 |
| 附录2:致谢 | 第121页 |