| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 符号说明 | 第12-16页 |
| 第一章 文献综述与选题背景 | 第16-22页 |
| 1．1 计算机模拟及 Monte Carlo方法简介 | 第16-18页 |
| 1．2 Monte Carlo方法的应用 | 第18-22页 |
| 第二章 基本理论 | 第22-54页 |
| 2．1 Monte Carlo方法 | 第22-28页 |
| 2．1．1 Monte Carlo方法的基本原理 | 第22-24页 |
| 2．1．1．1 Monte Carlo方法的基本思想 | 第22-23页 |
| 2．1．1．2 Monte Carlo方法的算法概要 | 第23-24页 |
| 2．1．2 随机数的产生 | 第24-25页 |
| 2．1．2．1 均匀分布 U(0，1)的随机数的产生 | 第24页 |
| 2．1．2．2 标准正态分布 N(0，1)的随机数的产生 | 第24-25页 |
| 2．1．2．2．1 变换法 | 第24页 |
| 2．1．2．2．2 近似方法 | 第24-25页 |
| 2．1．3 Monte Carlo方法处理问题的技术细节 | 第25-28页 |
| 2．1．3．1 边界条件 | 第25页 |
| 2．1．3．2 相互作用的截断 | 第25-27页 |
| 2．1．3．2．1 简单截断 | 第26页 |
| 2．1．3．2．2 最小映像法则 | 第26-27页 |
| 2．1．3．3 Metropolis重要性抽样 | 第27-28页 |
| 2．2 化学统计力学原理 | 第28-34页 |
| 2．2．1 系综及基本假设 | 第28-29页 |
| 2．2．2 系综分类 | 第29-34页 |
| 2．2．2．1 正则系综方法 | 第29-31页 |
| 2．2．2．1．1 正则系综 | 第29-30页 |
| 2．2．2．1．2 正则系综方法的要点 | 第30页 |
| 2．2．2．1．3 正则系综代表函数 | 第30-31页 |
| 2．2．2．2 巨正则系综方法 | 第31-33页 |
| 2．2．2．2．1 巨正则系综 | 第31-32页 |
| 2．2．2．2．2 巨正则系综要点 | 第32页 |
| 2．2．2．2．3 巨正则系综代表函数 | 第32-33页 |
| 2．2．2．3 微正则系综方法 | 第33-34页 |
| 2．2．2．3．1 微正则系综 | 第33页 |
| 2．2．2．3．2 微正则系综要点 | 第33页 |
| 2．2．2．3．3 微正则系综代表函数 | 第33-34页 |
| 2．3 电极/溶液界面双电层理论 | 第34-42页 |
| 2．3．1 双电层的概念 | 第34页 |
| 2．3．2 电极/溶液界面结构理论模型的发展 | 第34-40页 |
| 2．3．2．1 平板电容器模型 | 第34-35页 |
| 2．3．2．2 分散层模型 | 第35-37页 |
| 2．3．2．3 Gouy-chapman-stem模型 | 第37-38页 |
| 2．3．2．4 修正的GSC模型 | 第38-39页 |
| 2．3．2．5 BDM模型 | 第39-40页 |
| 2．3．3 双电层结构对电极动力学的影响 | 第40-41页 |
| 2．3．4 电极/溶液界面双电层的分散层的理论 | 第41-42页 |
| 2．4 电极过程扩散理论 | 第42-45页 |
| 2．4．1 Fick定律 | 第42-43页 |
| 2．4．2 平板电极的一维扩散 | 第43-44页 |
| 2．4．3 平板电极的三维扩散 | 第44-45页 |
| 2．5 半导体基本知识 | 第45-54页 |
| 2．5．1 半导体的能带理论 | 第45-47页 |
| 2．5．1．1 能级 | 第45-46页 |
| 2．5．1．2 能带 | 第46-47页 |
| 2．5．2 半导体的分类 | 第47-50页 |
| 2．5．2．1 本征半导体 | 第47-49页 |
| 2．5．2．1．1 本征半导体的结构特征 | 第48页 |
| 2．5．2．1．2 本征激发与复合 | 第48-49页 |
| 2．5．2．2 杂质半导体 | 第49-50页 |
| 2．5．3 费米能级和载流子的统计分布 | 第50-54页 |
| 2．5．3．1 费米分布函数 | 第50-51页 |
| 2．5．3．2 玻尔兹曼分布函数 | 第51-52页 |
| 2．5．3．3 载流子的统计分布 | 第52-54页 |
| 2．5．3．3．1 本征半导体载流子浓度 | 第53页 |
| 2．5．3．3．2 载流子浓度乘积 | 第53-54页 |
| 第三章 电解偏硼酸钠阴极区离子双电层的Monte Carlo模拟 | 第54-65页 |
| 3．1 前言 | 第54-55页 |
| 3．2 元胞设计 | 第55-56页 |
| 3．3 模拟的基本原理 | 第56-57页 |
| 3．4 模拟过程 | 第57-60页 |
| 3．5 模拟结果与讨论 | 第60-64页 |
| 3．6 结论 | 第64-65页 |
| 第四章 电化学体系中离子扩散过程的Monte Carlo模拟 | 第65-74页 |
| 4．1 前言 | 第65页 |
| 4．2 模拟设计 | 第65-68页 |
| 4．2．1 电解质溶液的三维网格模型 | 第65-67页 |
| 4．2．2 离子密度模型 | 第67页 |
| 4．2．3 相互作用模型 | 第67-68页 |
| 4．3 模拟步骤 | 第68-70页 |
| 4．4 模拟结果与讨论 | 第70-72页 |
| 4．4．1 不存在离子间相互作用 | 第70页 |
| 4．4．2 存在离子间相互作用 | 第70-72页 |
| 4．4．3 离子数密度对扩散系数的影响 | 第72页 |
| 4．5 结论 | 第72-74页 |
| 第五章 硅半导体材料中载流子数的计算机模拟 | 第74-84页 |
| 5．1 前言 | 第74页 |
| 5．2 巨正则半导体载流子配分函数 | 第74-77页 |
| 5．3 模型设计 | 第77-78页 |
| 5．4 模拟过程 | 第78-79页 |
| 5．5 模拟结果与讨论 | 第79-83页 |
| 5．5．1 光照能量对载流子数的影响 | 第79-82页 |
| 5．5．2 温度对载流子数的影响 | 第82-83页 |
| 5．6 结论 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第95页 |
