| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-28页 |
| 1．1 研究背景及应用意义 | 第9-10页 |
| 1．2 半导体电极的制备 | 第10-14页 |
| 1．2．1 导电薄膜的性能要求及应用 | 第11-12页 |
| 1．2．2 导电薄膜制备的工艺方法 | 第12-14页 |
| 1．3 CdZnTe射线探测器电极的研究进展 | 第14-19页 |
| 1．3．1 国内对 CdZnTe电极的研究进展 | 第15-16页 |
| 1．3．2 国外对 CdZnTe电极的研究进展 | 第16-18页 |
| 1．3．3 半导体与金属电极接触的界面分析 | 第18-19页 |
| 1．4 欧姆接触电阻的理论计算分析及判断标准 | 第19-26页 |
| 1．4．1 接触电阻的理论计算分析 | 第20-21页 |
| 1．4．2 接触电阻的几种测量方法 | 第21-25页 |
| 1．4．3 接触性能的判断标准 | 第25-26页 |
| 1．5 CdZnTe探测器电极存在的问题 | 第26页 |
| 1．6 本文的主要研究内容 | 第26-27页 |
| 1．7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第二章 实验方法及内容 | 第28-45页 |
| 2．1 射频磁控溅射镀膜的基本原理 | 第28-34页 |
| 2．1．1 溅射镀膜 | 第28-30页 |
| 2．1．2 射频溅射 | 第30-31页 |
| 2．1．3 磁控溅射 | 第31-34页 |
| 2．2 试验装置 | 第34-36页 |
| 2．3 工艺参数的选择 | 第36-40页 |
| 2．3．1 溅射镀膜工艺参数的选择 | 第37-38页 |
| 2．3．2 热处理温度的选择 | 第38-40页 |
| 2．4 工艺流程 | 第40页 |
| 2．5 薄膜的分析测试 | 第40-44页 |
| 2．5．1 薄膜的厚度测量 | 第40-41页 |
| 2．5．2 薄膜的成分分析 | 第41-42页 |
| 2．5．3 薄膜的结构分析 | 第42页 |
| 2．5．4 薄膜电阻率的测试 | 第42-43页 |
| 2．5．5 薄膜的断面形貌及成分分析 | 第43页 |
| 2．5．6 I-V曲线的测试 | 第43-44页 |
| 2．6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 薄膜的制备工艺与性能 | 第45-61页 |
| 3．1 薄膜的沉积速率 | 第45-49页 |
| 3．1．1 溅射功率对沉积速率的影响 | 第45-46页 |
| 3．1．2 衬底温度对沉积速率的影响 | 第46-47页 |
| 3．1．3 Ar气流量对沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| 3．1．4 工作气压对沉积速率的影响 | 第48-49页 |
| 3．2 薄膜的成分 | 第49-50页 |
| 3．3 薄膜的结构 | 第50-54页 |
| 3．3．1 X射线衍射分析(XRD) | 第50-52页 |
| 3．3．2 薄膜的断面形貌 | 第52-54页 |
| 3．4 薄膜的表面形貌 | 第54-55页 |
| 3．5 薄膜的电阻率 | 第55-60页 |
| 3．5．1 溅射功率对薄膜电阻率的影响 | 第56-57页 |
| 3．5．2 衬底温度对薄膜电阻率的影响 | 第57-58页 |
| 3．5．3 Ar气流量对薄膜电阻率的影响 | 第58-59页 |
| 3．5．4 工作气压对薄膜电阻率的影响 | 第59-60页 |
| 3．6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 Cu/Ag导电薄膜与CdZnTe的接触性能 | 第61-72页 |
| 4．1 薄膜与CoZnTe接触处的成分分析 | 第61-64页 |
| 4．1．1 功率对接触处成分的影响 | 第61-62页 |
| 4．1．2 衬底温度对接触处成分的影响 | 第62-63页 |
| 4．1．3 热处理对界面处成分的影响 | 第63-64页 |
| 4．2 热处理温度对CdZnTe红外透过的影响 | 第64-65页 |
| 4．3 溅射功率对欧姆接触性能的影响 | 第65-66页 |
| 4．4 衬底温度对欧姆接触性能的影响 | 第66-67页 |
| 4．5 热处理对接触性能的影响 | 第67-68页 |
| 4．6 CdZnTe表面不同处理对接触性能的影响 | 第68-69页 |
| 4．7 高压情况下接触性能的表现 | 第69-70页 |
| 4．8 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |