| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·概述 | 第11-15页 |
| ·铁电薄膜生长 | 第15-24页 |
| ·晶体取向与性能 | 第15页 |
| ·铁电薄膜沉积工艺 | 第15-19页 |
| ·研究进展 | 第19-24页 |
| ·铁电薄膜的外延生长机制研究 | 第19-20页 |
| ·集成铁电中的缓冲层研究 | 第20-24页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第24-25页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第25-46页 |
| ·激光分子束外延原理 | 第25页 |
| ·设备简介 | 第25-27页 |
| ·原位的反射高能电子衍射 | 第27-39页 |
| ·单晶薄膜表面的电子衍射 | 第28-36页 |
| ·单晶薄膜RHEED的主要信息 | 第28-33页 |
| ·RHEED与生长模式 | 第33-34页 |
| ·RHEED衍射图案分析 | 第34-36页 |
| ·多晶薄膜表面的电子衍射 | 第36-39页 |
| ·单轴织构薄膜的电子衍射 | 第36-38页 |
| ·双轴织构薄膜的电子衍射 | 第38-39页 |
| ·薄膜的后位分析与表征方法 | 第39-43页 |
| ·结构分析 | 第39-40页 |
| ·形貌分析 | 第40-41页 |
| ·表面分析 | 第41-43页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第43页 |
| ·薄膜的电畴表征及电性能测试 | 第43-46页 |
| ·PFM的表面电畴成像技术 | 第43-45页 |
| ·介电性能测试 | 第45-46页 |
| 第三章 STO薄膜同质外延的生长研究 | 第46-66页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·基片处理 | 第46-48页 |
| ·激光能量密度 | 第48-50页 |
| ·生长温度 | 第50-52页 |
| ·沉积速率 | 第52-55页 |
| ·STO同质外延的生长模式控制 | 第55-56页 |
| ·表面扩散与表面弛豫 | 第56-59页 |
| ·反射高能电子衍射图案分析 | 第59-64页 |
| ·STO基片的衍射 | 第59-60页 |
| ·STO同质外延过程中的衍射 | 第60-62页 |
| ·RHEED强度振荡的相位移现象 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第四章 氧化物薄膜异质外延的生长研究 | 第66-82页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·正失配时的氧化物异质外延 | 第66-77页 |
| ·BTO／STO异质外延(2.2％) | 第66-71页 |
| ·MgO／STO异质外延(7.8％) | 第71-75页 |
| ·MgO／LAO异质外延(11％) | 第75-77页 |
| ·负失配时的氧化物异质外延 | 第77-80页 |
| ·STO／BTO异质外延(-2.2％) | 第77-79页 |
| ·STO／MgO(-7.2％) | 第79-80页 |
| ·LNO／MgO(-8.8％)异质外延 | 第80页 |
| ·小结 | 第80-82页 |
| 第五章 氧化物薄膜在硅基片上的生长行为研究 | 第82-99页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·硅的表面 | 第82-83页 |
| ·BTO直接在硅基片上的生长 | 第83-87页 |
| ·BTO／Si薄膜的结晶与成核 | 第83-85页 |
| ·BTO／Si薄膜的界面扩散机制 | 第85-87页 |
| ·MgO／Si的生长 | 第87-92页 |
| ·CeO_2／Si的生长行为 | 第92-95页 |
| ·氧化物薄膜在硅基片上的生长热力学 | 第95-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第六章 BTO铁电薄膜在硅基片上的取向控制生长及其电性能初探 | 第99-107页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·BTO在缓冲硅基片上的生长 | 第99-102页 |
| ·MgO／Si缓冲层 | 第99-101页 |
| ·CeO_2／Si缓冲层 | 第101-102页 |
| ·BTO薄膜的性能测试 | 第102-106页 |
| ·底电极的选择 | 第102页 |
| ·PFM对电畴的观察 | 第102-105页 |
| ·介电特性测试结果分析与讨论 | 第105-106页 |
| ·小结 | 第106-107页 |
| 主要结论与创新点 | 第107-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第121-122页 |
| 个人简历 | 第121页 |
| 在读期间已发表和待发表的论文 | 第121-122页 |
| 已授权和申请中的专利 | 第122页 |