| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·微电子技术的发展趋势及其对高K材料的需求 | 第10-13页 |
| ·高K栅介质的研究进展 | 第13-17页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验原理及相关物理基础 | 第18-31页 |
| ·磁控溅射沉积原理 | 第18-19页 |
| ·C-V测试原理 | 第19-25页 |
| ·栅介质层泄露电流机制 | 第25-31页 |
| 第三章 HfO_2高K栅介质的制备及其电学特性分析 | 第31-48页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·HfO_2薄膜的制备工艺 | 第31-33页 |
| ·实验方案 | 第31-32页 |
| ·HfO_2薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·HfO_2高K栅介质电学特性 | 第33-47页 |
| ·HfO_2栅介质的C-V、I-V特性及工艺条件的影响 | 第33-42页 |
| ·HfO_2栅介质层泄露电流机制 | 第42-45页 |
| ·HfO_2栅介质层的SILC效应 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 HfO_2的氮化效应研究 | 第48-55页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·HfON的制备 | 第49-53页 |
| ·HfON与HfO2栅介质的电学特性比较 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |