High-k薄膜与硅接触的电学特性研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
第一章 引言	第5-8页
第二章 样品生长及测试方法	第8-21页
·样品的生长	第8页
·用C-V方法测试MOS结构的原理	第8-11页
·功函数,界面态,离子对CV曲线的影响	第11-13页
·深能级瞬态谱(DLTS)	第13-19页
·PN结中的深能级瞬态谱	第13-17页
·MOS电容中深能级瞬态谱	第17-19页
·实验测试装置图	第19-21页
第三章 用电容-电压(C-V)法研究样品特性	第21-26页
·掺杂浓度、平带电压和慢界面态的计算	第21-23页
·样品的CV测试结果及总结	第23-26页
第四章 用深能级瞬态谱(DLTS)研究样品特性	第26-51页
·Al_2O_3样品的DLTS测试	第26-38页
·Al_2O_3样品在不同偏压下的DLTS测试	第26-30页
·表面势的计算	第30-34页
·用不饱和填充的DLTS进行模型的验证	第34-38页
·HfAlO(1:1)样品的DLTS测试	第38-45页
·HfAlO(1:1)样品改变偏压的DLTS测试	第38-43页
·用不饱和填充DLTS求俘获截面的激活能	第43-45页
·退火对HfAlO样品的影响	第45-51页
·总结	第51页
参考文献	第51-53页
致谢	第53-54页