| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 概述 | 第10-18页 |
| ·GaN 材料应用 | 第10-11页 |
| ·GaN 薄膜的研究进展 | 第11-12页 |
| ·GaN 薄膜的制备方法 | 第12-15页 |
| ·异质外延 GaN 薄膜面临的问题 | 第15-17页 |
| ·本论文的内容及安排 | 第17-18页 |
| 第二章 理论模拟及实验技术 | 第18-32页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·薄膜生长动力学 | 第18-20页 |
| ·吸附、迁移与成核 | 第18-19页 |
| ·薄膜生长模型 | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积的原理与特性 | 第20-26页 |
| ·脉冲激光沉积技术的原理 | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积技术的特性 | 第22-23页 |
| ·PLD 方法中影响薄膜生长的因素 | 第23-25页 |
| ·脉冲激光沉积方法 | 第25-26页 |
| ·高温退火过程 | 第26-28页 |
| ·薄膜材料的性能表征 | 第28-32页 |
| ·X 射线衍射谱 | 第28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28-30页 |
| ·红外吸收光谱（IR） | 第30页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第30-32页 |
| 第三章 在GaAs衬底上生长GaN薄膜及对其性质的研究 | 第32-40页 |
| ·砷化镓基 GaN 薄膜的研究现状 | 第32页 |
| ·在砷化镓衬底上生长 GaN 薄膜的步骤 | 第32-33页 |
| ·退火温度对 GaN/GaAs 薄膜的结晶质量和表面形貌的影响 | 第33-37页 |
| ·XRD 分析 | 第33-35页 |
| ·原子力显微镜（AFM）表面分析 | 第35-36页 |
| ·样品的光致发光谱（PL 谱）研究 | 第36-37页 |
| ·在GaAs上生长的GaN薄膜脱层的原因 | 第37-40页 |
| 第四章 SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究 | 第40-48页 |
| ·硅基 GaN 薄膜的研究现状 | 第40-41页 |
| ·在硅衬底上生长 GaN 薄膜的实验步骤 | 第41页 |
| ·实验结果及分析 | 第41-46页 |
| ·XRD 分析 | 第41-44页 |
| ·原子力显微镜（AFM）分析 | 第44页 |
| ·傅立叶红外吸收谱(FTIR)分析 | 第44-45页 |
| ·光致发光谱（PL）分析 | 第45-46页 |
| ·结论 | 第46-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第48页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
