| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-20页 |
| ·研究背景、目的和意义 | 第11-12页 |
| ·GaN 晶体结构与材料特性 | 第12-14页 |
| ·晶体结构 | 第12-13页 |
| ·物理性质 | 第13-14页 |
| ·化学性质 | 第14页 |
| ·电学性质 | 第14页 |
| ·光学性质 | 第14页 |
| ·GaN 材料的制备 | 第14-17页 |
| ·GaN 外延生长 | 第14-16页 |
| ·GaN 外延衬底 | 第16-17页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第17-19页 |
| ·GaN 基发光器件 | 第17-18页 |
| ·GaN 其它应用 | 第18-19页 |
| ·本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 2 GaN 光致发光特性研究 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·GaN 光致发光的物理过程 | 第21-25页 |
| ·实验 | 第25页 |
| ·PL 谱结果与分析 | 第25-29页 |
| ·连续光激发PL 谱 | 第25-27页 |
| ·脉冲光激发PL 谱 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 3 GaN 穿透位错类型及发光特性研究 | 第30-51页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·GaN 中的穿透位错 | 第31-35页 |
| ·化学腐蚀结合AFM 同位观测和阴极荧光显微观测 | 第35-39页 |
| ·实验结果与分析 | 第39-49页 |
| ·腐蚀条件分析 | 第39-41页 |
| ·AFM 同位观测 | 第41-47页 |
| ·阴极荧光(CL)显微观测 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 4 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 附：作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录、科研情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |