| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 石墨烯和类石墨烯材料的研究现状和进展 | 第9-20页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第10-13页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫族化合物 | 第13-14页 |
| 1.2.3 四六族窄带隙半导体化合物 | 第14-20页 |
| 1.3 石墨烯及类石墨烯材料的常见制备方法 | 第20-23页 |
| 1.3.1 机械剥离 | 第20-21页 |
| 1.3.2 液相剥离法 | 第21-22页 |
| 1.3.3 气相沉积法 | 第22-23页 |
| 1.4 本文的选题和主要工作 | 第23-25页 |
| 第2章 窄带隙半导体硒化锡薄膜的制备及表征 | 第25-31页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 实验材料与方法 | 第26页 |
| 2.2.1 实验材料和仪器 | 第26页 |
| 2.3 硒化锡薄膜的制备和表征 | 第26-30页 |
| 2.3.1 基底材料的清洗处理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 化学气相沉积法(CVD)制备SnSe薄膜 | 第27-28页 |
| 2.3.3 硒化锡薄膜的形貌和微观结构 | 第28-30页 |
| 2.4 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 硒化锡薄膜的光响应特性 | 第31-36页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 光电性能的测试方法和原理 | 第31-32页 |
| 3.3 硒化锡薄膜的光响应性能测试与分析 | 第32-35页 |
| 3.3.1 光照对硒化锡I-V特性的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.2 光照对硒化锡光开关特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 小结 | 第35-36页 |
| 第4章 GO修饰SnSe复合结构及其光响应特性 | 第36-42页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 GO/SnSe复合结构的表征 | 第37-38页 |
| 4.3 GO/SnSe复合结构的光响应性能测试与分析 | 第38-41页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第38-39页 |
| 4.3.2 GO/SnSe复合结构的光响应性能测试与分析 | 第39-41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 第5章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 总结 | 第42页 |
| 5.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 个人简历 | 第56页 |
| 在学期间发表的学术论文 | 第56页 |
