| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 论文背景以及研究意义 | 第17-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.2.1 EMP注入效应研究状况 | 第19-20页 |
| 1.2.2 EMP辐照效应研究状况 | 第20-21页 |
| 1.3 论文主要内容以及研究方法 | 第21页 |
| 1.4 各章节内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 EMP作用下双极晶体管的损伤机理 | 第23-35页 |
| 2.1 几种常见的电磁脉冲 | 第23-26页 |
| 2.2 电磁脉冲耦合机制 | 第26-27页 |
| 2.3 结二次击穿 | 第27-30页 |
| 2.3.1 热不稳定性理论 | 第27-28页 |
| 2.3.2 雪崩注入理论 | 第28-30页 |
| 2.4 氧化层和介质击穿 | 第30-31页 |
| 2.5 由复合管构成的共射极放大电路工作原理 | 第31-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 NPN晶体管以及复合管电路模型的建立 | 第35-47页 |
| 3.1 Sentaurus仿真软件 | 第35-36页 |
| 3.2 NPN晶体管模型 | 第36-42页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第36-37页 |
| 3.2.2 器件数值模型 | 第37-42页 |
| 3.3 复合达林顿管构成的共发射极放大电路仿真模型 | 第42-45页 |
| 3.4 仿真信号模型 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 信号样式和偏置电路对复合管电路抗EMP效应的影响 | 第47-67页 |
| 4.1 电路结构对复合管电路抗EMP效应的影响 | 第47-51页 |
| 4.2 偏置电阻对复合管电路抗EMP效应的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 电源电压对复合管电路抗EMP效应的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 基极注入下EMP信号样式对NPN复合管损伤效应的影响 | 第53-60页 |
| 4.4.1 不同强度正弦信号注入时的仿真结果与数据分析 | 第54-55页 |
| 4.4.2 不同信号类型注入情况的仿真结果和数据分析 | 第55-58页 |
| 4.4.3 信号频率对放大器EMP响应的影响 | 第58-60页 |
| 4.5 发射极注入与集电极注入下的NPN复合管损伤效应 | 第60-65页 |
| 4.5.1 接地注入 | 第60-64页 |
| 4.5.2 集电极注入 | 第64-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 复合管抗EMP损伤加固措施研究 | 第67-77页 |
| 5.1 微电子器件防护的一般方法 | 第67-68页 |
| 5.2 双极晶体管放大电路抗EMP损伤研究 | 第68-75页 |
| 5.2.1 放大电路直流工作点对器件损伤的影响 | 第68-71页 |
| 5.2.2 放大电路发射极外接电阻对器件损伤的影响 | 第71-74页 |
| 5.2.3 基极偏置电阻对器件损伤的影响 | 第74-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 全文总结 | 第77-78页 |
| 6.2 工作展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
