片状碳源微波合成SiC粉体的工艺及机理研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 SiC结构 | 第9-10页 |
| 1.3 SiC的性能与应用 | 第10页 |
| 1.4 SiC的合成 | 第10-15页 |
| 1.4.1 传统合成方法 | 第10-11页 |
| 1.4.2 当代多种合成新技术 | 第11-12页 |
| 1.4.3 微波合成方法 | 第12-15页 |
| 1.5 选题背景和研究意义 | 第15-17页 |
| 1.5.1 选题目的及意义 | 第15页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.5.3 本文的创新点 | 第16-17页 |
| 第二章 实验原料、主要设备及测试方法 | 第17-23页 |
| 2.1 实验原料 | 第17-20页 |
| 2.1.1 实验原料分类 | 第17页 |
| 2.1.2 石墨纸原料 | 第17-19页 |
| 2.1.3 SiC原料 | 第19-20页 |
| 2.2 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.2.1 实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.2.2 微波加热装置 | 第21页 |
| 2.3 测试方法 | 第21-23页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析仪 | 第21-22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜和能量色散显微分析 | 第22-23页 |
| 第三章 预烧样品的制备 | 第23-30页 |
| 3.1 碳源的制备与表征 | 第23-25页 |
| 3.1.1 碳源的制备 | 第23-24页 |
| 3.1.2 碳源的表征 | 第24-25页 |
| 3.2 硅源的制备与表征 | 第25-27页 |
| 3.2.1 硅源的制备 | 第25-26页 |
| 3.2.2 硅源的表征 | 第26-27页 |
| 3.3 粉体成型 | 第27-30页 |
| 第四章 微波加热制备SiC的工艺探究 | 第30-45页 |
| 4.1 SiC的制备工艺 | 第30页 |
| 4.2 加热温度对微波合成SiC的影响 | 第30-35页 |
| 4.2.1 物相分析 | 第31-32页 |
| 4.2.2 形貌分析 | 第32-33页 |
| 4.2.3 堆垛层错分析 | 第33-35页 |
| 4.3 石墨纸层数对微波合成SiC的影响 | 第35-38页 |
| 4.3.1 物相分析 | 第35-36页 |
| 4.3.2 形貌分析 | 第36-37页 |
| 4.3.3 堆垛层错分析 | 第37-38页 |
| 4.4 晶种含量对微波合成SiC的影响 | 第38-41页 |
| 4.4.1 物相分析 | 第38-39页 |
| 4.4.2 形貌分析 | 第39-40页 |
| 4.4.3 堆垛层错分析 | 第40-41页 |
| 4.5 保温时间对微波合成SiC的影响 | 第41-45页 |
| 4.5.1 物相分析 | 第42-43页 |
| 4.5.2 形貌分析 | 第43-44页 |
| 4.5.3 堆垛层错分析 | 第44-45页 |
| 第五章 片状碳源微波合成SiC的加热机理研究 | 第45-51页 |
| 5.1 热效应及生长动力学分析 | 第45-48页 |
| 5.2 热传导方式分析 | 第48-51页 |
| 5.2.1 物相分析 | 第48-49页 |
| 5.2.2 形貌分析 | 第49-50页 |
| 5.2.3 堆垛层错分析 | 第50-51页 |
| 第六章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 6.1 结论 | 第51页 |
| 6.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 作者简历 | 第60页 |
