| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 忆阻器简介 | 第13-15页 |
| 1.3 非易失性存储器应用 | 第15-28页 |
| 1.4 逻辑运算应用 | 第28-30页 |
| 1.5 神经形态计算应用 | 第30-31页 |
| 1.6 本文研究内容与结构安排 | 第31-33页 |
| 2 基于P型氧化亚铜材料的忆阻器机理研究 | 第33-57页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 点缺陷形成能的第一性原理计算 | 第34-43页 |
| 2.3 器件结构与制备工艺 | 第43-49页 |
| 2.4 器件电学特性测试与导电机理分析 | 第49-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 3 基于氧化铝材料的忆阻器掺杂研究 | 第57-84页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 器件结构与工艺流程 | 第58-67页 |
| 3.3 Pt/Al_2O_3/Ru结构平面器件研究 | 第67-70页 |
| 3.4 Pt/Al_2O_3/Ru与Pt/Al_2O_3:Ru/Ru结构器件的特性对比 | 第70-74页 |
| 3.5 Pt/Al_2O_3:Ru/Ru结构低电流电导渐变可调器件研究 | 第74-82页 |
| 3.6 本章小结 | 第82-84页 |
| 4 基于非晶氧化铪材料的忆阻器器件研究与阵列集成 | 第84-122页 |
| 4.1 引言 | 第84-86页 |
| 4.2 氧化铪薄膜制备工艺 | 第86-87页 |
| 4.3 Ti/HfO_2/Pt结构忆阻器研究 | 第87-95页 |
| 4.4 Pt/HfO_2/Ta结构忆阻器研究 | 第95-100页 |
| 4.5 基于HfO_2材料的1T1R忆阻器阵列研究 | 第100-120页 |
| 4.6 本章小结 | 第120-122页 |
| 5 总结与展望 | 第122-126页 |
| 5.1 研究内容总结 | 第122-124页 |
| 5.2 下一步研究展望 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-144页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第144-145页 |
