摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-42页 |
1.1 引言 | 第12-14页 |
1.2 过渡金属氟化物的磁性 | 第14-28页 |
1.2.1 磁有序结构和磁相互作用 | 第14-17页 |
1.2.2 单相多铁材料 | 第17-19页 |
1.2.3 磁电耦合效应 | 第19-22页 |
1.2.4 交换偏置效应 | 第22-24页 |
1.2.5 氟化物铁电中的磁性 | 第24-28页 |
1.3 过渡金属氟化物的光学性能 | 第28-30页 |
1.3.1 光致发光的物理机制 | 第28-29页 |
1.3.2 氟化物发光材料的研究 | 第29-30页 |
1.4 超级电容器 | 第30-33页 |
1.4.1 超级电容器概述 | 第30-31页 |
1.4.2 超级电容器的组成、分类、储能原理和电极材料 | 第31-33页 |
1.5 本论文的主要研究内容 | 第33-34页 |
1.6 参考文献 | 第34-42页 |
第二章 材料制备、表征手段、第一性原理计算方法 | 第42-56页 |
2.1 材料制备 | 第42页 |
2.2 材料表征 | 第42-47页 |
2.2.1 结构和形貌表征—X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电镜 | 第42-44页 |
2.2.2 磁性表征—超导量子干涉仪 | 第44-45页 |
2.2.3 光学表征—荧光光谱、共聚焦拉曼光谱仪和紫外-可见分光光度计 | 第45-47页 |
2.2.4 电化学表征—电化学工作站 | 第47页 |
2.3 电化学测试体系和方法 | 第47-51页 |
2.4 第一性原理计算方法 | 第51-52页 |
2.5 参考文献 | 第52-56页 |
第三章 过渡金属氟化物BaMnF_4与Ba_2Ni_3F_(10)的磁性研究 | 第56-76页 |
3.1 引言 | 第56-58页 |
3.2 实验部分 | 第58-61页 |
3.2.1 BaMnF_4的制备与表征 | 第58-59页 |
3.2.2 Ba_2Ni_3F_(10)的制备方法及其形貌尺寸调控 | 第59-61页 |
3.3 BaMnF_4中由磁电耦合诱导的交换偏置效应 | 第61-67页 |
3.3.1 BaMnF_4的磁性结果 | 第61-62页 |
3.3.2 交换偏置效应 | 第62-66页 |
3.3.3 磁电耦合分析与讨论 | 第66-67页 |
3.4 Ba_2Ni_3F_(10)纳米线的铁磁/反铁磁交换耦合 | 第67-70页 |
3.4.1 Ba_2Ni_3F_(10)纳米线的磁性结果 | 第67-68页 |
3.4.2 交换偏置效应分析与讨论 | 第68-70页 |
3.5 本章小结 | 第70-71页 |
3.6 参考文献 | 第71-76页 |
第四章 BaMnF_4与Ba_2Ni_3F_(10)的光致发光及其物理机制研究 | 第76-88页 |
4.1 引言 | 第76页 |
4.2 BaMnF_4的光致发光结果与分析 | 第76-80页 |
4.2.1 不同温度下的BaMnF_4荧光测量与分析 | 第76-77页 |
4.2.2 BaMnF_4的吸收谱与自吸收效应 | 第77-78页 |
4.2.3 第一性原理计算结果分析 | 第78-80页 |
4.3 Ba_2Ni_3F_(10)纳米线的发光性能研究 | 第80-83页 |
4.3.1 Ba_2Ni_3F_(10)纳米线的三色荧光、吸收谱以及能带分析 | 第80-82页 |
4.3.2 第一性原理计算结果分析 | 第82-83页 |
4.4 本章小结 | 第83页 |
4.5 参考文献 | 第83-88页 |
第五章 BaMF_4(M=Mn,Co,Ni)作为电极材料在超级电容器中的应用 | 第88-104页 |
5.1 引言 | 第88页 |
5.2 实验部分 | 第88-90页 |
5.2.1 BaMF_4(M=Mn,Co,Ni)样品的制备和表征 | 第88-90页 |
5.2.2 BaMF_4(M=Mn,Co,Ni)作为电极材料在三电极系统中的构想和实现 | 第90页 |
5.3 电化学性能测试结果与讨论 | 第90-99页 |
5.3.1 不同液浓度的碱性电解对BaCoF_4的电化学性能的影响 | 第90-91页 |
5.3.2 相同电解液浓度下BaMF_4(M=Mn,Co,Ni)的电化学测量 | 第91-96页 |
5.3.3 第一性原理计算结果分析 | 第96-99页 |
5.4 小结 | 第99页 |
5.5 参考文献 | 第99-104页 |
第六章 全文总结和展望 | 第104-106页 |
博士期间发表的论文 | 第106-107页 |
博士期间获得授权的专利 | 第107页 |
博士期间参与的研究项目 | 第107-108页 |
致谢 | 第108-109页 |