| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第12-14页 |
| 1.1.1 石墨烯结构 | 第12-13页 |
| 1.1.2 石墨烯的基本特性及制备方法 | 第13-14页 |
| 1.2 石墨烯场效应管的工作原理及应用 | 第14-18页 |
| 1.3 自对准结构石墨烯场效应管的研究进展 | 第18-24页 |
| 1.3.1 减小石墨烯场效应管中连接电阻的方法 | 第18-20页 |
| 1.3.2 自对准石墨烯场效应管的结构与制备 | 第20-24页 |
| 1.4 铝自氧化及其在石墨烯场效应管中的应用 | 第24-26页 |
| 1.5 高开关比石墨烯器件的制备 | 第26-30页 |
| 1.6 论文研究内容、创新与结构安排 | 第30-33页 |
| 第二章 铝埋栅自氧化介质石墨烯场效应管制备及应用 | 第33-47页 |
| 2.1 埋栅结构石墨烯场效应管 | 第33-36页 |
| 2.2 铝埋栅自氧化介质石墨烯场效应管的制备 | 第36-42页 |
| 2.3 基于铝埋栅自氧化介质石墨烯场效应管的频率倍增器 | 第42-46页 |
| 2.3.1 基于石墨烯双极性导电特性的新器件概述 | 第42-43页 |
| 2.3.2 基于铝埋栅自氧化介质石墨烯场效应管的频率倍增器 | 第43-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 不对称连接区域的石墨烯场效应管特性研究 | 第47-56页 |
| 3.1 不对称石墨烯场效应管制备 | 第47页 |
| 3.2 不对称石墨烯场效应管交换源漏电极测试分析 | 第47-52页 |
| 3.3 Si-MOSFET交换源漏电极测试 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 减小石墨烯场效应管连接电阻的方法研究 | 第56-67页 |
| 4.1 减小石墨烯场效应管连接电阻方法概述 | 第56-58页 |
| 4.1.1 掺杂un-gated区域减小连接电阻 | 第56-57页 |
| 4.1.2 un-gated区域增加两个场控制电极减小连接电阻 | 第57-58页 |
| 4.2 连接电阻改变对石墨烯场效应管性能的影响分析 | 第58-63页 |
| 4.3 利用自对准结构减小连接电阻的新方法 | 第63-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 新型结构自对准石墨烯场效应管的制备 | 第67-89页 |
| 5.1 自对准石墨烯场效应管的结构及制备方法概述 | 第67-71页 |
| 5.2 金属堆叠栅电极自对准石墨烯场效应管的制备 | 第71-79页 |
| 5.3 金属堆叠源漏电极自对准石墨烯场效应管的制备 | 第79-85页 |
| 5.4 不同自对准石墨烯场效应管制备方法的比较 | 第85-88页 |
| 5.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 可关断石墨烯场效应管的制备与特性研究 | 第89-109页 |
| 6.1 高开关比石墨烯器件概述 | 第89-92页 |
| 6.2 铝自氧化介质可关断石墨烯场效应管的制备与特性研究 | 第92-107页 |
| 6.3 本章小结 | 第107-109页 |
| 第七章 总结与展望 | 第109-111页 |
| 7.1 全文总结 | 第109-110页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-123页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第123页 |
