| 致谢 | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| abstract | 第8页 |
| 1 引言 | 第15-26页 |
| 1.1 MEMS加速度传感器概述 | 第15-17页 |
| 1.2 三轴硅微加速度传感器的国内外研究现状 | 第17-24页 |
| 1.3 本课题主要研究内容 | 第24-26页 |
| 2 谐振-力平衡式三轴加速度传感器检测原理与基本结构 | 第26-33页 |
| 2.1 面内X、Y轴加速度的检测原理 | 第26-29页 |
| 2.1.1 电热激励原理 | 第27页 |
| 2.1.2 压阻检测原理 | 第27-29页 |
| 2.2 面外Z轴加速度的检测原理 | 第29页 |
| 2.3 新型三轴加速度传感器的基本结构 | 第29-30页 |
| 2.4 研制谐振-力平衡电容式三轴微加速度传感器面临的技术难题 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 多晶硅电阻保护技术研究 | 第33-49页 |
| 3.1 多晶硅电阻的保护方案 | 第33-36页 |
| 3.1.1 金属引线的选择 | 第34-36页 |
| 3.1.2 氮化硅薄膜保护多晶硅电阻方案 | 第36页 |
| 3.2 氮化硅薄膜的制备及测试 | 第36-45页 |
| 3.2.1 PECVD淀积氮化硅薄膜的原理 | 第37页 |
| 3.2.2 PECVD氮化硅薄膜的制备 | 第37-39页 |
| 3.2.3 氮化硅薄膜特性参数测试 | 第39-45页 |
| 3.2.3.1 氮化硅薄膜淀积速率与SiH4/NH3流量比的关系 | 第39-40页 |
| 3.2.3.2 氮化硅薄膜Si/N原子比与SiH4/NH3流量比的关系 | 第40-41页 |
| 3.2.3.3 氮化硅薄膜应力与SiH4/NH3流量比的关系 | 第41-43页 |
| 3.2.3.4 氮化硅薄膜在 1:50HF溶液与BOE溶液中的腐蚀速率 | 第43-44页 |
| 3.2.3.5 氮化硅薄膜在 80℃、40%KOH溶液中的腐蚀速率 | 第44页 |
| 3.2.3.6 不同工艺参数制作的氮化硅薄膜性能测试总结 | 第44-45页 |
| 3.3 氮化硅薄膜对多晶硅电阻的保护效果 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 上盖板与下极板制作工艺研究 | 第49-55页 |
| 4.1 电极引出方案 | 第49-50页 |
| 4.2 上盖板制作工艺流程 | 第50-52页 |
| 4.3 下极板制作工艺流程 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 主芯片与上盖板下极板键合技术研究 | 第55-62页 |
| 5.1 谐振-力平衡电容式三轴微加速度传感器对键合、封装的要求 | 第55页 |
| 5.2 多层硅键合 | 第55-59页 |
| 5.2.1 MEMS加速度传感器的常用键合技术 | 第55-57页 |
| 5.2.2 不同键合技术对本课题传感器封装的适用性讨论 | 第57-58页 |
| 5.2.3 金-非晶硅共晶键合 | 第58-59页 |
| 5.3 键合工艺流程 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 6 总结与展望 | 第62-63页 |
| 6.1 总结 | 第62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者简历 | 第67页 |
