| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 中子的发现及其基本特性 | 第14-17页 |
| 1.1.1 中子的发现 | 第14-15页 |
| 1.1.2 中子的基本特性 | 第15-17页 |
| 1.2 中子的产生及中子源 | 第17-22页 |
| 1.2.1 中子的产生及分类 | 第17-19页 |
| 1.2.2 中子源的主要指标及其分类 | 第19-22页 |
| 1.3 中子与核的相互作用及中子技术的应用 | 第22-24页 |
| 1.3.1 中子与核的相互作用 | 第22-23页 |
| 1.3.2 中子技术的应用 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第2章 新型固体中子探测材料与器件的研究 | 第26-55页 |
| 2.1 中子探测概述 | 第26-30页 |
| 2.1.1 中子探测的基本原理与基本方法 | 第26-28页 |
| 2.1.2 中子探测器的主要技术指标及分类 | 第28-30页 |
| 2.1.3 中子探测器的新类型 | 第30页 |
| 2.2 中子探测器的发展现状及固体中子探测器的发展趋势 | 第30-32页 |
| 2.2.1 中子探测器的发展趋势 | 第30-31页 |
| 2.2.2 固体中子探测器的发展现状 | 第31-32页 |
| 2.3 固体中子探测的工作机理 | 第32-33页 |
| 2.3.1 间接型半导体中子探测器的工作机理 | 第32-33页 |
| 2.3.2 直接型半导体中子探测器的工作机理 | 第33页 |
| 2.4 新型固体中子探测材料与器件的研发 | 第33-41页 |
| 2.4.1 新型固体中子探测器的设计思想 | 第33-35页 |
| 2.4.2 间接型固体中子俘获-探测结的界面构形的设计 | 第35-37页 |
| 2.4.3 间接型固体中子俘获-探测结的界面尺度等几何参数的最优化 | 第37-38页 |
| 2.4.4 间接性固体中子俘获-探测结具有三维微观结构衬底的B-Si界面构形的制备 | 第38-39页 |
| 2.4.5 直接型固体中子俘获-探测结具有B_5C与n-Si交叠多层膜界面构形的制备 | 第39-40页 |
| 2.4.6 直接型固体中子俘获-探测结具有三维Si-BC微观结构界面构形的制备 | 第40页 |
| 2.4.7 多个固体中子俘获-探测P-N结复合关联测量的方案 | 第40-41页 |
| 2.5 新型固体中子探测器的模拟实验研究 | 第41-49页 |
| 2.5.1 新型固体中子探测器的结构模型及模拟实验研究的工作内容 | 第41-43页 |
| 2.5.2 点源入射时中子计数与俘获-探测结界面孔洞直径的关系 | 第43-44页 |
| 2.5.3 点源入射时中子计数与俘获-探测结界面孔洞间距的关系 | 第44页 |
| 2.5.4 面源入射时中子计数在俘获-探测结界面不同孔间距下与孔洞直径的关系 | 第44-45页 |
| 2.5.5 中子计数与俘获-探测结界面孔洞深度的关系 | 第45-46页 |
| 2.5.6 不同~(10)B纯度的材料下中子计数与俘获-探测结界面孔洞直径的关系 | 第46页 |
| 2.5.7 中子计数与中子能量的关系 | 第46-47页 |
| 2.5.8 中子计数与入射角度的关系 | 第47-49页 |
| 2.6 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 第3章 基于QCM和SPR对界面吸附膜质量特异相应的机理分析 | 第55-72页 |
| 3.1 SPR和QCM探测界面特性的应用概述及本项研究的工作基础 | 第55-57页 |
| 3.1.1 SPR和QCM技术探测界面特性的应用概述 | 第55-56页 |
| 3.1.2 本项研究的工作基础 | 第56-57页 |
| 3.2 SPR和QCM技术测量界面吸附膜特性的工作原理和计算公式 | 第57-59页 |
| 3.2.1 SPR技术测量界面膜特性的工作原理及其计算表达式 | 第57-58页 |
| 3.2.2 QCM技术测量界面膜特性的工作原理及其计算表达式 | 第58-59页 |
| 3.3 计算表达式的化简 | 第59-61页 |
| 3.3.1 计算表达式化简的必要性 | 第59-60页 |
| 3.3.2 测量计算表达式化简为通用的测算表达式 | 第60-61页 |
| 3.4 SPR和QCM的比较 | 第61-67页 |
| 3.4.1 通用测算表达式的应用条件的有效设定 | 第61-64页 |
| 3.4.2 dn/dc与[η]的关系 | 第64-66页 |
| 3.4.3 dn/dc和[η]的测量——测量界面膜质量的另一种方法 | 第66-67页 |
| 3.5 结论 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 第4章 基于修正的QCM传统Sauerbrey方程对固液界面吸附膜孤立分子构象的定量探讨 | 第72-87页 |
| 4.1 QCM传统Sauerbrey方程的既有应用及修正目标 | 第72-74页 |
| 4.1.1 传统Sauerbrey方程既有应用的解读及其局限性 | 第72-74页 |
| 4.1.2 传统Sauerbrey方程的修正目标 | 第74页 |
| 4.2 传统Sauerbrey方程的修正 | 第74-77页 |
| 4.2.1 传统Sauerbrey方程的修正 | 第74-76页 |
| 4.2.2 传统Sauerbrey方程修正的物理意义 | 第76页 |
| 4.2.3 传统Sauerbrey方程修正的有效性和适用性 | 第76-77页 |
| 4.3 修正的Sauerbrey方程的应用 | 第77-82页 |
| 4.3.1 修正的Sauerbrey方程的应用 | 第77-82页 |
| 4.3.2 修正的Sauerbrey方程的应用校准 | 第82页 |
| 4.4 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 第5章 藉由QCM对界面PVB膜玻璃化转变的研究 | 第87-102页 |
| 5.1 界面沉积薄膜玻璃化转变行为的研究方法概述 | 第87-88页 |
| 5.2 藉由QCM研究界面PVB膜玻璃化转变行为的实验方案 | 第88-90页 |
| 5.2.1 实验装置及其准备 | 第88-89页 |
| 5.2.2 PVB薄膜的制备 | 第89-90页 |
| 5.3 PVB薄膜的复弹性模量的测算 | 第90-91页 |
| 5.4 实验结果与分析 | 第91-99页 |
| 5.4.1 PVB薄膜的粘弹性性能和玻璃化转变温度 | 第91-95页 |
| 5.4.2 玻璃化转变温度与膜厚的函数关系 | 第95-98页 |
| 5.4.3 |△Γ/△f|关系曲线揭示了玻璃化转变的特征 | 第98-99页 |
| 5.5 结论 | 第99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第6章 总结与展望 | 第102-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第108页 |
