摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 太阳能电池的发展历史 | 第10-11页 |
1.1.1 世界太阳能电池的发展历史 | 第10-11页 |
1.1.2 中国太阳能电池的发展历史 | 第11页 |
1.2 薄膜太阳能电池的分类 | 第11-12页 |
1.2.1 硅基薄膜太阳能电池 | 第11-12页 |
1.2.2 无机化合物半导体薄膜太阳能电池 | 第12页 |
1.2.3 染料敏化太阳能电池 | 第12页 |
1.2.4 有机薄膜太阳能电池 | 第12页 |
1.3 CIS类薄膜太阳能电池 | 第12-14页 |
1.3.1 CIS类太阳电池的性能 | 第13-14页 |
1.3.2 CIS类太阳电池的结构 | 第14页 |
1.4 CIS吸收层 | 第14-16页 |
1.4.1 CIS吸收层薄膜的晶体结构 | 第14-15页 |
1.4.2 CIS吸收层薄膜的制备 | 第15-16页 |
1.5 缓冲层 | 第16-19页 |
1.5.1 CdS薄膜 | 第16-17页 |
1.5.2 ZnS薄膜 | 第17-18页 |
1.5.3 缓冲层薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
1.6 研究内容 | 第19-21页 |
第二章 材料与方法 | 第21-29页 |
2.1 样品制备过程 | 第21-26页 |
2.1.1 反应装置及药品 | 第21-24页 |
2.1.2 样品制备 | 第24-26页 |
2.2 检测手段 | 第26-29页 |
2.2.1 X射线衍射仪 | 第26-27页 |
2.2.2 扫描电镜 | 第27页 |
2.2.3 台阶仪 | 第27页 |
2.2.4 紫外可见近红外分光光度计 | 第27页 |
2.2.5 霍尔效应测试仪 | 第27-28页 |
2.2.6 X射线光电子能谱仪 | 第28-29页 |
第三章 三步共蒸发法制备CIAS吸收层薄膜 | 第29-66页 |
3.1 最佳工艺条件的探索 | 第29-52页 |
3.1.1 CIAS薄膜蒸发效率的探究 | 第29-34页 |
3.1.2 蒸发设备参数对CIAS吸收层薄膜性能的影响 | 第34-44页 |
3.1.3 退火温度对CIAS吸收层薄膜性能的影响 | 第44-51页 |
本节小结 | 第51-52页 |
3.2 Cu原子比对CIAS吸收层薄膜性能的影响 | 第52-58页 |
3.2.1 CIAS吸收层薄膜组分的确定 | 第52-54页 |
3.2.2 不同铜原子比的CIAS吸收层薄膜的表面形貌 | 第54-56页 |
3.2.3 不同铜原子比的CIAS吸收层薄膜的物相分析 | 第56-57页 |
3.2.4 不同铜原子比的CIAS吸收层薄膜的电学性能 | 第57页 |
本节小结 | 第57-58页 |
3.3 Al原子比对CIAS吸收层薄膜性能的影响 | 第58-65页 |
3.3.1 CIAS吸收层薄膜组分的确定 | 第58-60页 |
3.3.2 不同铝原子比的CIAS吸收层薄膜的表面形貌 | 第60-63页 |
3.3.3 不同铝原子比的CIAS吸收层薄膜的物相分析 | 第63-64页 |
3.3.4 不同铝原子比的CIAS吸收层薄膜的电学性能 | 第64-65页 |
本节小结 | 第65页 |
本章小结 | 第65-66页 |
第四章 化学水浴(CBD)法制备ZnS缓冲层薄膜 | 第66-72页 |
4.1 ZnS缓冲层薄膜的XPS分析 | 第66-69页 |
4.2 ZnS缓冲层薄膜的表面形貌 | 第69-70页 |
4.3 ZnS缓冲层薄膜的物相分析 | 第70页 |
4.4 ZnS缓冲层薄膜的透过率 | 第70-71页 |
4.5 ZnS缓冲层薄膜的禁带宽度 | 第71页 |
本章小结 | 第71-72页 |
第五章 CIAS薄膜太阳能电池多层膜的制备及性能研究 | 第72-80页 |
5.1 SLG/ITO/CIAS多层膜性能的研究 | 第72-78页 |
5.1.1 SLG/ITO/CIAS多层膜组分的确定 | 第72-74页 |
5.1.2 SLG/ITO/CIAS多层膜的表面形貌 | 第74-75页 |
5.1.3 SLG/ITO/CIAS多层膜的物相分析 | 第75-76页 |
5.1.4 SLG/ITO/CIAS多层膜的光学性能 | 第76-77页 |
5.1.5 SLG/ITO/CIAS多层膜的禁带宽度 | 第77-78页 |
5.1.6 SLG/ITO/CIAS多层膜的电学性能 | 第78页 |
5.2 SLG/ITO/CIAS/ZnS多层膜的截面分析 | 第78-79页 |
本章小结 | 第79-80页 |
结论 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-86页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第86-87页 |
致谢 | 第87页 |