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GaN HEMT高性能功率放大器研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第10-15页
    1.1 引言第10页
    1.2 国内外发展现状第10-14页
        1.2.1 宽带功率放大器国内外发展现状第10-12页
        1.2.2 F类功率放大器的国内外发展现状第12-14页
    1.3 论文的主要内容及工作安排第14-15页
第二章 射频功率放大器设计基础第15-28页
    2.1 功率放大器概述第15-16页
        2.1.1 双极性晶体管(BJT)第15-16页
        2.1.2 场效应晶体管(FET)第16页
    2.2 两端口网络散射参数第16-18页
    2.3 功率放大器的主要性能指标第18-25页
        2.3.1 放大电路的稳定性第18-20页
        2.3.2 工作带宽第20-21页
        2.3.3 输出功率第21页
        2.3.4 功率增益第21-22页
        2.3.5 工作效率第22-23页
        2.3.6 输入输出驻波比第23页
        2.3.7 线性度第23-25页
    2.4 阻抗匹配网络设计第25-27页
        2.4.1 偏置电路第25-26页
        2.4.2 输入输出匹配网络第26-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第三章 宽带功率放大器设计方法第28-33页
    3.1 多支节阻抗匹配第28-29页
    3.2 多级阻抗渐变式匹配第29-31页
    3.3 引入负反馈的宽带电路结构第31-32页
    3.4 本章小结第32-33页
第四章 宽带功率放大器电路设计第33-47页
    4.1 0.8 ~3GHz功率放大器设计指标第33页
    4.2 0.8~3GHz整体功率放大器设计第33-39页
        4.2.1 介质基板选择第33页
        4.2.2 功放晶体管选择第33-34页
        4.2.3 功率放大器电路设计第34-35页
        4.2.4 直流特性分析第35页
        4.2.5 偏置电路设计第35-36页
        4.2.6 输入输出匹配电路设计第36-38页
        4.2.7 整体电路结构设计第38-39页
    4.3 0.8~3GHz功率放大器组装以及测试结果分析第39-42页
        4.3.1 功率放大器组装第39-40页
        4.3.2 功率放大器测试结果与分析第40-42页
    4.4 3~6GHz功率放大器设计指标第42页
    4.5 3~6GHz功率放大器的设计第42-46页
        4.5.1 介质基板选择第42页
        4.5.2 功放晶体管的选择第42-43页
        4.5.3 直流特性分析第43页
        4.5.4 偏置电路设计第43-44页
        4.5.5 匹配电路和键合线设计第44-45页
        4.5.6 整体电路结构及仿真结果分析第45-46页
    4.6 本章小结第46-47页
第五章 F类功率放大器设计基础第47-56页
    5.1 F类功率放大器概述第47-50页
    5.2 最大平坦化波形第50-53页
        5.2.1 电压波形第50-51页
        5.2.2 电流波形第51-53页
    5.3 谐波控制电路第53-55页
        5.3.1 集总参数谐波控制电路第53-54页
        5.3.2 分布式谐波控制电路第54-55页
    5.4 本章小结第55-56页
第六章 F类功率放大器设计第56-69页
    6.1 功率放大器设计指标第56页
    6.2 介质基板选择第56页
    6.3 功率晶体管选择第56页
    6.4 F类功率放大器电路设计第56-63页
        6.4.1 直流特性分析第57页
        6.4.2 输出匹配电路设计第57-60页
        6.4.3 输入匹配电路设计第60-63页
    6.5 F类功率放大器组装以及测试结果分析第63-68页
        6.5.1 功率放大器组装第63-64页
        6.5.2 功率放大器测试结果与分析第64-68页
    6.6 本章小结第68-69页
第七章 总结与展望第69-70页
    7.1 总结第69页
    7.2 展望第69-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-75页
附录第75-76页

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