| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 硅烯的发展历程 | 第10-12页 |
| 1.1.1 硅烯的简介 | 第10-11页 |
| 1.1.2 硅烯的试验制备及研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2 硅烯的结构特性 | 第12-13页 |
| 1.3 硅烯的电学特性 | 第13-15页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 硅烯输运体系的研究方法 | 第16-27页 |
| 2.1 电子输运系统 | 第16-18页 |
| 2.1.1 介观输运体系及电子的输运特性 | 第16-17页 |
| 2.1.2 电子的两级输运模型 | 第17-18页 |
| 2.2 散射矩阵方法 | 第18-22页 |
| 2.3 格林函数方法 | 第22-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 硅烯异质结自旋分离和谷特性的应变调控 | 第27-36页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第27页 |
| 3.2 硅烯异质结应变调控模型建立 | 第27-30页 |
| 3.2.1 硅烯异质结模型介绍 | 第27-28页 |
| 3.2.2 硅烯异质结哈密顿量分析 | 第28-29页 |
| 3.2.3 硅烯异质结应变调控理论分析 | 第29-30页 |
| 3.3 模拟结果及理论分析 | 第30-35页 |
| 3.3.1 硅烯能带在应变和电场影响下的分离 | 第30-32页 |
| 3.3.2 应变对硅烯输运特性的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.3 应变对谷传输性质的影响 | 第33页 |
| 3.3.4 硅烯异质结的电子自旋分离 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 凹陷形硅烯纳米带的输运特性 | 第36-49页 |
| 4.1 研究意义 | 第36页 |
| 4.2 凹陷形硅烯纳米带模型建立 | 第36-40页 |
| 4.2.1 凹陷形硅烯纳米带模型介绍 | 第36-38页 |
| 4.2.2 硅烯纳米带哈密顿量分析 | 第38-39页 |
| 4.2.3 硅烯纳米带透射率计算 | 第39-40页 |
| 4.3 模拟结果及理论分析 | 第40-48页 |
| 4.3.1 凹陷形硅烯纳米带能带分析 | 第40-41页 |
| 4.3.2 凹陷形硅烯纳米带的透射率分析 | 第41-42页 |
| 4.3.3 凹陷形纳米带外加电场特性分析 | 第42-44页 |
| 4.3.4 垂直磁化强度对凹陷形硅烯纳米带的特性影响 | 第44-46页 |
| 4.3.5 硅烯纳米带凹陷区域宽度变化研究 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-52页 |
| 5.1 全文总结 | 第49-50页 |
| 5.2 文章创新点 | 第50页 |
| 5.3 研究展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 | 第57页 |