| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 ZnO特性 | 第12-15页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.1.2 ZnO晶体缺陷类型和能带结构 | 第14-15页 |
| 1.2 钛掺杂ZnO透明导电薄膜 | 第15-16页 |
| 1.2.1 n型TZO透明导电薄膜掺杂机理 | 第15-16页 |
| 1.2.2 TZO透明导电薄膜的重要性能指数 | 第16页 |
| 1.3 TZO薄膜的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3.1 钛掺杂比例及与其它微量元素共掺杂研究 | 第16-17页 |
| 1.3.2 衬底类型及缓冲层的选择研究 | 第17页 |
| 1.3.3 磁控溅射工艺参数的选择研究 | 第17-18页 |
| 1.3.4 磁控溅射直流和射频及共溅射方法的研究 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方法和表征技术 | 第20-29页 |
| 2.1 实验原理和方法 | 第20-21页 |
| 2.1.1 TZO靶材的常用制备方法 | 第20页 |
| 2.1.2 TZO薄膜制备技术 | 第20-21页 |
| 2.2 TZO薄膜表征技术 | 第21-27页 |
| 2.2.1 同步热重分析-差式扫描量热仪(TG-DSC) | 第21页 |
| 2.2.2 X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第21-22页 |
| 2.2.3 紫外可见光光度计(UV) | 第22-23页 |
| 2.2.4 光之发光测试(PL) | 第23-24页 |
| 2.2.5 扫描电镜(SEM) | 第24-25页 |
| 2.2.6 能谱仪(EDS) | 第25页 |
| 2.2.7 表面轮廓仪 | 第25-26页 |
| 2.2.8 霍尔效应(HALL) | 第26-27页 |
| 2.3 实验药品及实验仪器 | 第27-29页 |
| 第三章 四种不同衬底的TZO膜的制备和性能表征 | 第29-45页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 TZO陶瓷靶的制备和烧结工艺 | 第29-32页 |
| 3.2.1 研究现状 | 第29-30页 |
| 3.2.2 掺钛氧化锌陶瓷靶的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.3 掺钛氧化锌陶瓷靶的烧结 | 第31-32页 |
| 3.3 TZO薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 3.3.1 TZO薄膜的制备工艺流程 | 第32-33页 |
| 3.3.2 TZO薄膜的制备参数设计 | 第33-34页 |
| 3.4 不同衬底生长的TZO膜的表征和性能分析 | 第34-43页 |
| 3.4.1 不同衬底对TZO膜晶体结构的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.2 不同基底对TZO膜光学特性的影响 | 第36-39页 |
| 3.4.3 不同衬底对TZO膜电学特性的影响 | 第39-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 氢气退火对磁控溅射TZO膜微结构和光电性能的影响 | 第45-59页 |
| 4.1 前言 | 第45页 |
| 4.2 实验设计 | 第45-46页 |
| 4.2.1 初始TZO薄膜制备 | 第45-46页 |
| 4.2.2 样品氢气退火处理 | 第46页 |
| 4.2.3 薄膜测试 | 第46页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第46-58页 |
| 4.3.1 氢气退火对TZO膜微结构的影响 | 第46-50页 |
| 4.3.2 氢气退火对TZO膜光学特性的影响 | 第50-56页 |
| 4.3.3 氢气退火对薄膜电学特性的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 TZO-Bi_2O_3-TZO三层复合压敏薄膜的制备和性能影响 | 第59-72页 |
| 5.1 前言 | 第59-60页 |
| 5.2 实验设计 | 第60-62页 |
| 5.2.1 靶材制备 | 第60-61页 |
| 5.2.2 三层复合薄膜的制备 | 第61-62页 |
| 5.3 实验结果分析讨论 | 第62-71页 |
| 5.3.1 溅射靶材和复合薄膜形貌和XRD测试分析 | 第62-67页 |
| 5.3.2 复合薄膜的I-V特性测试分析 | 第67-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-75页 |
| 6.1 总结 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第86页 |
