| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第11-31页 |
| 1.1 蜂窝状结构二维材料简介 | 第11-19页 |
| 1.1.1 新型蜂窝状结构二维材料 | 第11-16页 |
| 1.1.2 二维材料vanderWaals异质结 | 第16-19页 |
| 1.2 能谷电子学简介 | 第19-29页 |
| 1.2.1 能谷电子学的发展 | 第20-26页 |
| 1.2.2 能谷相关的物理性质 | 第26-29页 |
| 1.3 本论文的研究内容和意义 | 第29-31页 |
| 1.3.1 待研究的问题 | 第29-30页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 理论背景与方法 | 第31-44页 |
| 2.1 第一性原理方法与密度泛函理论 | 第31-38页 |
| 2.1.1 多体系统哈密顿量 | 第31-32页 |
| 2.1.2 绝热近似理论——Born-oppenheimer近似 | 第32-33页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理以及Kohn-sham方程 | 第33-36页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第36-37页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第37-38页 |
| 2.2 计算软件简介 | 第38-44页 |
| 2.2.1 Vasp软件包简介 | 第38页 |
| 2.2.2 Wannier90简介以及Berry曲率计算方法 | 第38-40页 |
| 2.2.3 Z2PACK简介以及Z2拓扑不变量计算方法 | 第40-44页 |
| 第3章 Silicene/Bi双层异质结中的能谷电子学 | 第44-54页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第45页 |
| 3.3 计算结果与分析 | 第45-53页 |
| 3.3.1 异质结结构的分析 | 第45-47页 |
| 3.3.2 异质结的自旋劈裂的分析 | 第47-50页 |
| 3.3.3 异质结中能谷电子性质的分析 | 第50-53页 |
| 3.4 小结 | 第53-54页 |
| 第4章 Germanene/SbF异质结中的能谷电子学 | 第54-64页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第55-56页 |
| 4.3 计算结果与分析 | 第56-62页 |
| 4.3.1 异质结Ge/Sb结构与电子结构分析 | 第56-58页 |
| 4.3.2 异质结Ge/SbF结构与自旋劈裂分析 | 第58-59页 |
| 4.3.3 异质结Ge/SbF的电子能谷性质的分析 | 第59-61页 |
| 4.3.4 异质结Ge/SbF拓扑性的分析 | 第61-62页 |
| 4.4 小结 | 第62-64页 |
| 第5章 MoSe_2/WSe_2异质结中的激子 | 第64-79页 |
| 5.1 引言 | 第64-65页 |
| 5.2 计算方法与模型 | 第65-66页 |
| 5.3 计算结果与分析 | 第66-78页 |
| 5.3.1 堆垛对异质结电子层内跃迁的影响 | 第66-69页 |
| 5.3.2 不同堆垛异质结中层间激子的形成与复合过程的理论分析 | 第69-74页 |
| 5.3.3 堆垛对位对MoSe_2/WSe_2异质结中层间激子复合过程极化率的影响.. | 第74-75页 |
| 5.3.4 电场对MoSe_2/WSe_2异质结电子结构的双向调控 | 第75-78页 |
| 5.4 小结 | 第78-79页 |
| 第6章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 总结 | 第79页 |
| 6.2 展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 攻读学位期间完成的学术论文及科研成果 | 第91页 |
