非晶碳、砷化镓和硅的电学和磁学输运性能
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-33页 |
| 1.1 课题背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 磁学输运 | 第10-27页 |
| 1.2.1 正常磁电阻 | 第10页 |
| 1.2.2 非均匀性磁电阻 | 第10-12页 |
| 1.2.3 自旋相关散射磁阻 | 第12-14页 |
| 1.2.4 碳材料的磁阻 | 第14-20页 |
| 1.2.5 砷化镓基磁阻 | 第20-22页 |
| 1.2.6 硅基磁阻 | 第22-24页 |
| 1.2.7 其他材料体系 | 第24-27页 |
| 1.3 电学输运 | 第27-32页 |
| 1.3.1 几种重要的电导机制 | 第27-28页 |
| 1.3.2 变程跃迁 | 第28-29页 |
| 1.3.3 阻变效应 | 第29-32页 |
| 1.4 本文的选题思路和主要内容 | 第32-33页 |
| 第2章 样品制备及测试方法 | 第33-41页 |
| 2.1 样品制备 | 第33-35页 |
| 2.1.1 靶材制备 | 第33页 |
| 2.1.2 样品制备 | 第33-35页 |
| 2.2 测试方法 | 第35-41页 |
| 2.2.1 微结构和成分表征 | 第35-38页 |
| 2.2.2 电学和磁学测量 | 第38-41页 |
| 第3章 纯非晶碳膜的低温磁阻特性 | 第41-51页 |
| 3.1 材料制备与测试方法 | 第41-42页 |
| 3.2 非晶碳膜的成分与结构 | 第42页 |
| 3.3 非晶碳膜的电学输运性质 | 第42-43页 |
| 3.4 非晶碳膜的磁阻效应 | 第43-45页 |
| 3.5 磁阻效应机理讨论 | 第45-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 铁掺杂非晶碳膜的低温磁阻特性 | 第51-64页 |
| 4.1 样品制备及表征 | 第51-52页 |
| 4.2 样品微结构及成分 | 第52-55页 |
| 4.2.1 样品形貌表征 | 第52-53页 |
| 4.2.2 XRD 表征 | 第53-54页 |
| 4.2.3 XPS 分析结果 | 第54-55页 |
| 4.3 电学输运特性 | 第55-57页 |
| 4.4 磁学输运特性 | 第57-60页 |
| 4.4.1 磁化特性 | 第57-58页 |
| 4.4.2 低温磁阻特性 | 第58-60页 |
| 4.5 磁阻机理探讨 | 第60-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 砷化镓基器件的室温巨磁电阻特性 | 第64-76页 |
| 5.1 器件制备与测试方法 | 第64-66页 |
| 5.2 器件磁阻性能 | 第66-67页 |
| 5.3 不同参数二极管对器件磁阻的影响 | 第67-69页 |
| 5.4 不同器件尺寸对磁阻的影响 | 第69-72页 |
| 5.4.1 实验现象 | 第69页 |
| 5.4.2 电阻网络近似推导 | 第69-72页 |
| 5.5 有限元模拟 | 第72-75页 |
| 5.5.1 模拟方法 | 第72-73页 |
| 5.5.2 模拟步骤 | 第73-74页 |
| 5.5.3 模拟结果 | 第74-75页 |
| 5.6 磁阻机理 | 第75页 |
| 5.7 本章小结 | 第75-76页 |
| 第6章 磁场可控的硅基器件的非易失性阻变特性 | 第76-88页 |
| 6.1 器件制备与测试方法 | 第77页 |
| 6.2 器件的结构与成分 | 第77-78页 |
| 6.3 器件的阻变性能和磁响应 | 第78-83页 |
| 6.4 器件工作的机理 | 第83-87页 |
| 6.4.1 影响器件工作的因素 | 第83-84页 |
| 6.4.2 氧空位迁移 | 第84-85页 |
| 6.4.3 模拟结果 | 第85-87页 |
| 6.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第7章 结论和展望 | 第88-91页 |
| 7.1 结论 | 第88-90页 |
| 7.2 展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第105-106页 |
