第一性原理研究Ti2CoSi中形变与原子无序对半金属和自旋无带隙半导体特性的影响
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 插图目录 | 第12-14页 |
| 表格目录 | 第14-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-23页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第15-17页 |
| 1.2 半金属材料及其研究进展 | 第17-20页 |
| 1.3 自旋无带隙半导体及其研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4 本文的研究内容及意义 | 第22-23页 |
| 第二章 密度泛函理论与全势线性缀加平面波法 | 第23-33页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第23-29页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第23-25页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第25-27页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第27-29页 |
| 2.1.4 交换关联能近似 | 第29页 |
| 2.2 全势线性缀加平面波方法 | 第29-33页 |
| 第三章 计算模型与参数 | 第33-36页 |
| 3.1 计算模型 | 第33-35页 |
| 3.2 计算参数 | 第35-36页 |
| 第四章 Ti_2CoSi化合物的计算结果与讨论 | 第36-54页 |
| 4.1 电子结构与物理特性 | 第36-43页 |
| 4.1.1 结构优化与电子结构 | 第36-40页 |
| 4.1.2 半金属与自旋无带隙半导体特性 | 第40-41页 |
| 4.1.3 磁学性质 | 第41-43页 |
| 4.2 结构形变对物理特性的影响 | 第43-48页 |
| 4.2.1 均匀形变的影响 | 第43-46页 |
| 4.2.2 [001]方向的非均匀形变的影响 | 第46-48页 |
| 4.3 原子无序对物理特性的影响 | 第48-54页 |
| 4.3.1 Co-Si的原子无序 | 第49-50页 |
| 4.3.2 Ti(B)-Co的原子无序 | 第50页 |
| 4.3.3 Ti(A)-Si的原子无序 | 第50-51页 |
| 4.3.4 Ti(A)-Co的原子无序 | 第51-52页 |
| 4.3.5 Ti(B)-Si的原子无序 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 附录 (攻读学位期间发表论文目录) | 第64-65页 |
