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C掺杂ZnO薄膜的结构及相关物性研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
1 绪论第10-24页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 ZnO 的结构与性质第11-14页
        1.2.1 ZnO 的基本性质第11-12页
        1.2.2 ZnO 的光电性质第12-14页
        1.2.3 ZnO 的其它性质第14页
    1.3 ZnO 基稀磁半导体的研究进展第14-19页
        1.3.1 过渡金属掺杂 ZnO 的磁性研究第15-17页
        1.3.2 非磁性元素掺杂 ZnO 的磁性研究第17-19页
        1.3.3 本征缺陷对 ZnO 稀磁半导体磁性的影响第19页
    1.4 ZnO:C 薄膜的研究概况第19-21页
        1.4.1 C 在 ZnO 中存在形式的探究第19-20页
        1.4.2 C 掺杂 ZnO 磁性来源的探究第20-21页
    1.5 本文的立题依据、研究内容及创新点第21-24页
        1.5.1 立题依据第21-22页
        1.5.2 研究内容第22-23页
        1.5.3 创新点第23-24页
2 薄膜的制备方法和原理第24-35页
    2.1 ZnO 薄膜制备方法第24-27页
        2.1.1 化学气相沉积(CVD)第24页
        2.1.2 溶胶凝胶(Sol-Gel)第24-25页
        2.1.3 分子束外延(MBE)第25页
        2.1.4 真空蒸发镀膜法第25-26页
        2.1.5 激光脉冲沉积(PLD)法第26-27页
        2.1.6 喷雾热解法第27页
        2.1.7 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)第27页
        2.1.8 溅射(Sputtering)镀膜法第27页
    2.2 射频磁控溅射的原理第27-31页
        2.2.1 射频溅射第27-29页
        2.2.2 磁控溅射第29-31页
        2.2.3 射频磁控溅射第31页
    2.3 薄膜的制备第31-34页
        2.3.1 靶材及衬底制备第31-32页
        2.3.2 薄膜的沉积过程第32-33页
        2.3.3 制备薄膜的基本参数第33页
        2.3.4 退火(热处理)第33-34页
    2.4 小结第34-35页
3 薄膜的性能表征手段第35-42页
    3.1 X 射线衍射(XRD)第35页
    3.2 霍尔(Hall)测试第35-37页
    3.3 X 射线光电子能谱基本原理第37-40页
    3.4 拉曼光谱(Raman)第40页
    3.5 光致发光(PL)第40-42页
4 C 掺杂 ZnO 薄膜特性研究第42-48页
    4.1 ZnO:C 薄膜的结构特性第42-43页
    4.2 电学性质第43-44页
    4.3 样品的 XPS 分析第44-45页
    4.4 拉曼光谱分析第45-47页
    4.5 小结第47-48页
5 C 掺杂 ZnO 稀磁半导体的磁性研究第48-53页
    5.1 ZnO:C 薄膜的磁性分析第48-49页
    5.2 退火后 ZnO:C 薄膜的结构特性第49-51页
    5.3 光学性质的研究第51-52页
    5.4 小结第52-53页
6 结论与展望第53-54页
    6.1 主要结论第53页
    6.2 后续工作与展望第53-54页
参考文献第54-61页
附录第61-62页
致谢第62页

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