| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO 的结构与性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 ZnO 的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 ZnO 的光电性质 | 第12-14页 |
| 1.2.3 ZnO 的其它性质 | 第14页 |
| 1.3 ZnO 基稀磁半导体的研究进展 | 第14-19页 |
| 1.3.1 过渡金属掺杂 ZnO 的磁性研究 | 第15-17页 |
| 1.3.2 非磁性元素掺杂 ZnO 的磁性研究 | 第17-19页 |
| 1.3.3 本征缺陷对 ZnO 稀磁半导体磁性的影响 | 第19页 |
| 1.4 ZnO:C 薄膜的研究概况 | 第19-21页 |
| 1.4.1 C 在 ZnO 中存在形式的探究 | 第19-20页 |
| 1.4.2 C 掺杂 ZnO 磁性来源的探究 | 第20-21页 |
| 1.5 本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第21-24页 |
| 1.5.1 立题依据 | 第21-22页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5.3 创新点 | 第23-24页 |
| 2 薄膜的制备方法和原理 | 第24-35页 |
| 2.1 ZnO 薄膜制备方法 | 第24-27页 |
| 2.1.1 化学气相沉积(CVD) | 第24页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶（Sol-Gel） | 第24-25页 |
| 2.1.3 分子束外延(MBE) | 第25页 |
| 2.1.4 真空蒸发镀膜法 | 第25-26页 |
| 2.1.5 激光脉冲沉积(PLD)法 | 第26-27页 |
| 2.1.6 喷雾热解法 | 第27页 |
| 2.1.7 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第27页 |
| 2.1.8 溅射(Sputtering)镀膜法 | 第27页 |
| 2.2 射频磁控溅射的原理 | 第27-31页 |
| 2.2.1 射频溅射 | 第27-29页 |
| 2.2.2 磁控溅射 | 第29-31页 |
| 2.2.3 射频磁控溅射 | 第31页 |
| 2.3 薄膜的制备 | 第31-34页 |
| 2.3.1 靶材及衬底制备 | 第31-32页 |
| 2.3.2 薄膜的沉积过程 | 第32-33页 |
| 2.3.3 制备薄膜的基本参数 | 第33页 |
| 2.3.4 退火（热处理） | 第33-34页 |
| 2.4 小结 | 第34-35页 |
| 3 薄膜的性能表征手段 | 第35-42页 |
| 3.1 X 射线衍射（XRD） | 第35页 |
| 3.2 霍尔（Hall）测试 | 第35-37页 |
| 3.3 X 射线光电子能谱基本原理 | 第37-40页 |
| 3.4 拉曼光谱（Raman） | 第40页 |
| 3.5 光致发光（PL） | 第40-42页 |
| 4 C 掺杂 ZnO 薄膜特性研究 | 第42-48页 |
| 4.1 ZnO:C 薄膜的结构特性 | 第42-43页 |
| 4.2 电学性质 | 第43-44页 |
| 4.3 样品的 XPS 分析 | 第44-45页 |
| 4.4 拉曼光谱分析 | 第45-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-48页 |
| 5 C 掺杂 ZnO 稀磁半导体的磁性研究 | 第48-53页 |
| 5.1 ZnO:C 薄膜的磁性分析 | 第48-49页 |
| 5.2 退火后 ZnO:C 薄膜的结构特性 | 第49-51页 |
| 5.3 光学性质的研究 | 第51-52页 |
| 5.4 小结 | 第52-53页 |
| 6 结论与展望 | 第53-54页 |
| 6.1 主要结论 | 第53页 |
| 6.2 后续工作与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 附录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |