首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

基于前馈神经网络的射频微波MOSFET器件建模技术研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第14-19页
    1.1 引言第14-16页
    1.2 人工神经网络的发展历史第16-17页
    1.3 国内外人工神经网建模技术的发展现状第17页
    1.4 论文的主要内容和创新工作第17-19页
第二章 BP神经网络算法第19-28页
    2.1 神经网络的分类第19页
    2.2 BP神经网络算法第19-28页
        2.2.1 神经元第20页
        2.2.2 BP神经网络的算法第20-24页
        2.2.3 BP神经网络计算的步骤第24-25页
        2.2.4 BP神经网络的缺陷第25-26页
        2.2.5 BP神经网络的优化第26-27页
        2.2.6 数据集的处理第27-28页
第三章 基于BP神经网络的MOSFET小信号建模方法第28-57页
    3.1 MOSFET器件的物理结构第28-30页
    3.2 MOSFET小信号本征参数提取过程第30页
    3.3 去嵌过程第30-36页
        3.3.1 开路去嵌法第31-33页
        3.3.2 短路去嵌法第33-36页
    3.4 射频MOSFET小信号等效电路模型本征参数的提取第36-46页
    3.5 基于知识基BP神经网络建模技术第46-52页
    3.6 基于直接法的BP神经网络建模技术第52-56页
    3.7 对比分析第56-57页
第四章 BP神经网络微分和积分建模技术第57-70页
    4.1 神经网络微分和积分技术产生的原因第57-58页
    4.2 STATZ非线性等效电路模型介绍及参数提取第58-60页
    4.3 BP神经网络微分技术在STATZ模型上的应用第60-65页
        4.3.1 BP神经网络微分技术的原理第60-62页
        4.3.2 BP神经网络微分技术在STATZ模型上的应用第62-65页
    4.4 神经网络积分技术在STATZ模型上的应用第65-70页
        4.4.1 BP神经网络积分技术的原理第65-66页
        4.4.2 BP神经网络积分技术在STATZ模型上的应用第66-70页
第五章 总结与展望第70-72页
    5.1 工作总结第70页
    5.2 工作展望第70-72页
攻读硕士期间发表论文第72-73页
参考文献第73-77页
致谢第77页

论文共77页,点击 下载论文
上一篇:基于被保护元件模型完好性的智能配电网故障判断方法
下一篇:基于卷积神经网络的行人重识别算法研究