| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·碳化硅半导体材料简介 | 第9-13页 |
| ·碳化硅材料的特性 | 第9-11页 |
| ·碳化硅的结构 | 第11-12页 |
| ·碳化硅的生长技术 | 第12-13页 |
| ·碳化硅半导体材料的研究进展 | 第13-17页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 第二章 实验系统与方法 | 第19-30页 |
| ·飞秒激光器系统 | 第19-20页 |
| ·光学非线性测量方法 | 第20-26页 |
| ·z-san理论和实验方法 | 第20-23页 |
| ·OKE方法 | 第23-25页 |
| ·三阶非线性极化率的物理起源 | 第25-26页 |
| ·超快光动力学测量方法 | 第26-30页 |
| ·半导体内的超快过程 | 第26-27页 |
| ·泵浦-探测技术 | 第27-30页 |
| 第三章 碳化硅半导体材料的非线性光学性质和超快光动力学研究 | 第30-39页 |
| ·样品详情 | 第30页 |
| ·吸收谱研究 | 第30-31页 |
| ·用z-scan方法和OKE方法研究碳化硅材料的光学非线性及其起源 | 第31-34页 |
| ·超快光动力学研究 | 第34-39页 |
| 全文总结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 附录一： 在学习期间发表和投寄的的学术论文 | 第45-46页 |
| 附录二： 致谢 | 第46-47页 |