| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 腔量子电动力学的发展及应用 | 第11-14页 |
| 1.2 半导体量子点 | 第14-18页 |
| 1.3 光学微腔 | 第18-21页 |
| 1.4 本论文结构安排 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第27-33页 |
| 2.1 全量子框架下物质与光场的相互作用 | 第27-29页 |
| 2.1.1 原子与电磁场的量子化 | 第27-28页 |
| 2.1.2 Jaynes-Cummings模型 | 第28-29页 |
| 2.2 光子统计 | 第29-31页 |
| 2.2.1 光子数态和相干态 | 第29-30页 |
| 2.2.2 光子的分布类型及衡量函数 | 第30-31页 |
| 2.3 耗散系统下的量子力学主方程及其稳态解 | 第31-32页 |
| 2.4 小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 二能级量子点-双模腔耦合系统 | 第33-47页 |
| 3.1 序言 | 第33-34页 |
| 3.2 理论模型 | 第34-37页 |
| 3.2.1 系统的能级结构 | 第34-36页 |
| 3.2.2 系统的哈密顿量与主方程 | 第36-37页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第37-41页 |
| 3.3.1 模式a——基于量子干涉相消的光子反聚束效应 | 第37-39页 |
| 3.3.2 模式b——光子聚束效应及光子截断数对结果的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 系统参数对光子发射特性的影响 | 第41-44页 |
| 3.4.1 点腔耦合强度和腔耗散速率对系统的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.2 非对称耦合强度对系统的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.3 全消相对系统的影响 | 第43-44页 |
| 3.5 小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第四章 四能级量子点-双模腔耦合系统 | 第47-61页 |
| 4.1 序言 | 第47-48页 |
| 4.2 系统结构与哈密顿量 | 第48-51页 |
| 4.3 单光子发射 | 第51-54页 |
| 4.3.1 计算结果与分析 | 第51-53页 |
| 4.3.2 非对称腔模式对单光子性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 双光子发射 | 第54-58页 |
| 4.4.1 双光子发射的机制 | 第54页 |
| 4.4.2 双腔激励、双点激励和混合激励 | 第54-56页 |
| 4.4.3 基于不同光子特性的量子非门 | 第56-58页 |
| 4.5 小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文总结 | 第61-62页 |
| 5.2 工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第65页 |