| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 离子注入技术 | 第9-11页 |
| 1.2 SOI 材料技术 | 第11-13页 |
| 1.2.1 SOI 材料的特点 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SOI 材料的制备 | 第12-13页 |
| 1.3 Smart-cut 技术 | 第13-17页 |
| 1.3.1 Smart-cut 技术的工艺流程 | 第13-15页 |
| 1.3.2 轻气体离子注入硅基材料的发展 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第17-20页 |
| 第二章 实验过程及其原理 | 第20-33页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-23页 |
| 2.2 样品的离子注入 | 第23-27页 |
| 2.2.1 离子注入条件的选择 | 第23页 |
| 2.2.2 离子注入的物理原理 | 第23-24页 |
| 2.2.3 射程分布和浓度分布 | 第24-27页 |
| 2.3 离子注入后样品的退火处理 | 第27页 |
| 2.4 注入及退火样品的观测手段及其基本原理 | 第27-33页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第28-29页 |
| 2.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第29-30页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜（TEM） | 第30-33页 |
| 第三章 氦氢离子联合注入Si0_2/Si 的实验结果及分析 | 第33-51页 |
| 3.1 SEM 观测结果 | 第33-36页 |
| 3.2 AFM 观测结果 | 第36-39页 |
| 3.3 XTEM 观测结果 | 第39-43页 |
| 3.4 实验结果讨论及机制分析 | 第43-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 氦氢离子联合注入Si_3N_4/Si 的实验结果及分析 | 第51-69页 |
| 4.1 SEM 观测结果 | 第51-56页 |
| 4.1.1 高剂量H 离子附加注入 | 第51-55页 |
| 4.1.2 中剂量H 离子附加注入 | 第55-56页 |
| 4.1.3 低剂量H 离子附加注入 | 第56页 |
| 4.2 AFM 观测结果 | 第56-59页 |
| 4.3 XTEM 观测结果 | 第59-62页 |
| 4.4 实验结果讨论及机制分析 | 第62-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |