| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·气体传感器概述 | 第9-10页 |
| ·金属氧化物半导体气体传感器概述 | 第10-12页 |
| ·金属氧化物半导体气敏材料概述 | 第10-11页 |
| ·金属氧化物半导体气敏机理 | 第11-12页 |
| ·ZnO 纳米材料研究现状 | 第12-17页 |
| ·ZnO 概述 | 第12-13页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列的制备方法概述 | 第13-15页 |
| ·ZnO 气体传感器研究现状 | 第15-17页 |
| ·气敏性能测试方法 | 第17-18页 |
| ·气敏元件结构 | 第17页 |
| ·气敏性能参数 | 第17-18页 |
| ·气敏性能测试方法 | 第18页 |
| ·本论文的研究目的与内容 | 第18-20页 |
| 第二章 ZnO 纳米棒阵列的制备及表征 | 第20-28页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第20-21页 |
| ·实验试剂 | 第20-21页 |
| ·实验与表征设备 | 第21页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列制备 | 第21-22页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列表征 | 第22-24页 |
| ·FE-SEM 和HR-TEM 结果及议论 | 第22-23页 |
| ·XRD 结果及讨论 | 第23-24页 |
| ·不同条件对ZnO 纳米棒阵列的影响 | 第24-26页 |
| ·生长时间对ZnO 纳米棒阵列的影响 | 第24-25页 |
| ·生长浓度对ZnO 纳米棒阵列的影响 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 A1~(3+)离子掺杂ZnO 纳米棒阵列制备及气敏性能 | 第28-36页 |
| ·ZnO:A1~(3+)纳米棒阵列体系制备 | 第28页 |
| ·ZnO:A1~(3+)纳米棒阵列体系表征 | 第28-30页 |
| ·FE-SEM 结果及讨论 | 第28-29页 |
| ·XRD 结果及讨论 | 第29-30页 |
| ·ZnO 和ZnO:A1~(3+)纳米棒阵列体系气敏性能 | 第30-35页 |
| ·A1~(3+)浓度影响 | 第30-31页 |
| ·工作温度影响 | 第31-32页 |
| ·气体浓度影响 | 第32-33页 |
| ·元件响应-恢复关系 | 第33-34页 |
| ·环境湿度影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Au 修饰ZnO 纳米棒阵列制备及气敏性能 | 第36-47页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系制备 | 第36页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系表征 | 第36-40页 |
| ·FE-SEM 和TEM 结果及讨论 | 第36-37页 |
| ·XRD 结果及讨论 | 第37-38页 |
| ·不同条件对ZnO:Au 纳米棒阵列体系的影响 | 第38-40页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系气敏性能研究 | 第40-46页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系对乙醇气敏性能 | 第40-42页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系对LPG 和甲醛气敏性能 | 第42-45页 |
| ·环境湿度对ZnO:Au 纳米棒阵列体系气敏性能 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 ZnO 基复合体系其它性能研究 | 第47-52页 |
| ·ZnO 基复合体系浸润性研究 | 第47-49页 |
| ·ZnO 和ZnO:A1~(3+)纳米棒阵列体系浸润性 | 第47-48页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系浸润性 | 第48-49页 |
| ·ZnO 基复合体系光致发光性能研究 | 第49-51页 |
| ·ZnO 和ZnO:A1~(3+)纳米棒阵列体系光致发光性能 | 第49-50页 |
| ·ZnO:Au 纳米棒阵列体系光致发光性能 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 全文总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
