| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第7-22页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 si(111)衬底GaN外延结构与应力来源 | 第7-10页 |
| 1.2.1 GaN的晶体和能带结构及基本性质 | 第7-9页 |
| 1.2.2 si衬底GaN基薄膜应力产生来源 | 第9-10页 |
| 1.3 GaN薄膜应力测试方法 | 第10-13页 |
| 1.3.1 薄膜曲率测试法 | 第10-11页 |
| 1.3.2 X射线衍射法 | 第11-12页 |
| 1.3.3 徽区拉曼应力测试法 | 第12-13页 |
| 1.4 文献回顾与相关研究 | 第13-16页 |
| 1.5 本论文的研究内容及行文安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第2章 si衬底GaN基LED单颗芯片应力分布及其影响研究 | 第22-35页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验 | 第22-32页 |
| 2.2.1 样品制备 | 第22-24页 |
| 2.2.2 外延片应力测试 | 第24-25页 |
| 2.2.3 外延片TEM测试 | 第25-26页 |
| 2.2.4 外延片SIMS测试 | 第26-28页 |
| 2.2.5 芯片光电性能测试 | 第28-32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32页 |
| 2.4 总结 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第3章 si衬底GaN基LED制程中应力变化的研究 | 第35-55页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 si衬底GaN基LED芯片制作工艺 | 第35-36页 |
| 3.3 不同缓冲层厚度si衬底GaN基LED芯片制程中的应力变化对比 | 第36-51页 |
| 3.3.1 实验 | 第36页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第36-48页 |
| 3.3.3 小结 | 第48-51页 |
| 3.4 转移到蜡基板上的GaN薄膜应力分布 | 第51-52页 |
| 3.5 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第4章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
