| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-33页 |
| 1.1 发光二极管的发展历史 | 第9-11页 |
| 1.2 GaN发光材料的基本结构和性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 GaN材料的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 GaN材料的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.3 GaN基LED制造技术简介 | 第14-15页 |
| 1.4 GaN基LED的发光效率 | 第15-31页 |
| 1.4.1 LED器件中常用的效率表征名词 | 第18-19页 |
| 1.4.2 GaN基LED器件效率衰减的原因 | 第19-31页 |
| 1.5 本论文的研究内容和行文安排 | 第31-33页 |
| 第2章 硅衬底GaN基LED的制造流程和表征 | 第33-48页 |
| 2.1 Si衬底GaN基LED的制备 | 第33-37页 |
| 2.1.1 发光材料的外延生长 | 第33-35页 |
| 2.1.2 芯片制备工艺流程 | 第35-37页 |
| 2.2 Si衬底GaN基LED的表征 | 第37-48页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射仪 | 第37-40页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第40-41页 |
| 2.2.3 二次离子质谱仪 | 第41-42页 |
| 2.2.4 荧光显微镜 | 第42-43页 |
| 2.2.5 电致发光 | 第43-48页 |
| 第3章 Cap层厚度对硅衬底GaN基LED器件光电性能的影响 | 第48-59页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 实验 | 第49-50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-57页 |
| 3.3.1 外延薄膜性能分析 | 第50-51页 |
| 3.3.2 器件电致发光性能分析 | 第51-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 V-pits大小对硅衬底GaN基LED器件光电性能的影响 | 第59-78页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 实验 | 第60-61页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第61-77页 |
| 4.3.1 外延薄膜的性能分析 | 第61-66页 |
| 4.3.2 室温电致发光性能分析 | 第66-72页 |
| 4.3.3 变温电致发光性能分析 | 第72-73页 |
| 4.3.4 器件老化性能分析 | 第73-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 P-AlGaN电子阻挡层厚度对含有大型V-pits硅衬底GaN基绿光LED器件光电性能的影响 | 第78-87页 |
| 5.1 引言 | 第78-79页 |
| 5.2 实验 | 第79-80页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第80-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 第6章 P型层厚度对硅衬底GaN基蓝光LED器件光电性能的影响 | 第87-92页 |
| 6.1 引言 | 第87页 |
| 6.2 实验 | 第87-88页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第88-91页 |
| 6.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第7章 结论 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第101页 |
