| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 阻变存储器(RRAM)简介 | 第11-12页 |
| 1.2 双极型RRAM研究概况 | 第12-15页 |
| 1.2.1 双极型RRAM的典型I-V曲线 | 第12-13页 |
| 1.2.2 双极型RRAM的导电机制 | 第13页 |
| 1.2.3 双极型RRAM研究进展 | 第13-15页 |
| 1.3 本论文工作和意义 | 第15-17页 |
| 第二章 退火工艺对TiO_2/HfO_2结构存储器阻变性能的影响 | 第17-26页 |
| 2.1 TiO_2/HfO_2薄膜制备、退火处理和表征 | 第17-19页 |
| 2.1.1 TiO_2/HfO_2存储器制备和退火 | 第17-18页 |
| 2.1.2 阻变层的表征 | 第18-19页 |
| 2.2 不同退火气氛下ITO/TiO_2/HfO_2/Pt的阻变性能 | 第19-22页 |
| 2.2.1 不同退火气氛下器件的阻变特性测试 | 第19-21页 |
| 2.2.2 不同退火气氛下器件的阻变参数比较 | 第21-22页 |
| 2.3 双层结构阻变存储器阻变机理的分析 | 第22-24页 |
| 2.3.1 阻变存储器的电流传导机制 | 第22-23页 |
| 2.3.2 制备态、N_2退火器件的电流传导机制拟合 | 第23-24页 |
| 2.3.3 电极材料对TiO_2/HfO_2结构存储器阻变性能的影响 | 第24页 |
| 2.4 小结 | 第24-26页 |
| 第三章 柔性TiO_2/HfO_2双层结构器件的阻变性能 | 第26-35页 |
| 3.1 柔性ITO/TiO_2/HfO_2/Pt的器件的制备 | 第26-27页 |
| 3.1.1 器件的制备工艺 | 第26-27页 |
| 3.1.2 器件阻变层的表征 | 第27页 |
| 3.2 双层结构阻变层设计提升阻变性能的研究 | 第27-31页 |
| 3.2.1 阻变特性测试 | 第28-29页 |
| 3.2.2 双层阻变层器件与单层结构器件阻变参数的比较 | 第29-31页 |
| 3.3 ITO/TiO_2/HfO_2/Pt器件的阻变机理研究 | 第31-33页 |
| 3.3.1 氧空位主导的导电细丝模型的建立 | 第31-32页 |
| 3.3.2 双层结构导电细丝模型 | 第32-33页 |
| 3.4 小结 | 第33-35页 |
| 第四章 柔性TiO_2/HfO_2双层器件的多位存储特性 | 第35-43页 |
| 4.1 ITO/TiO_2/HfO_2/Pt弯曲下的阻变曲线 | 第35-37页 |
| 4.1.1 Pt/HfO_2/TiO_2/ITO器件的弯曲测试方法 | 第35-36页 |
| 4.1.2 Pt/HfO_2/TiO_2/ITO器件在弯曲状态下的阻变特性 | 第36-37页 |
| 4.2 ITO/TiO_2/HfO_2/Pt的多位存储特性 | 第37-40页 |
| 4.2.1 控制限流实现多位存储 | 第37-39页 |
| 4.2.2 控制电压实现多位存储 | 第39-40页 |
| 4.3 ITO/TiO_2/HfO_2/Pt的电流传导机制 | 第40-42页 |
| 4.3.1 肖特基发射机制 | 第40-41页 |
| 4.3.2 器件能级图 | 第41-42页 |
| 4.4 小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结和展望 | 第43-45页 |
| 5.1 总结 | 第43-44页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 附录 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
