摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-32页 |
1.1 引言 | 第13-15页 |
1.2 光学薄膜的研究现状 | 第15-18页 |
1.2.1 介质/金属结构光学薄膜 | 第15-17页 |
1.2.2 光学薄膜的制备现状和应用前景 | 第17-18页 |
1.3 YBCO高温超导薄膜的研究现状 | 第18-26页 |
1.3.1 YBCO薄膜的制备研究现状 | 第19-23页 |
1.3.2 YBCO薄膜的光学性质 | 第23-24页 |
1.3.3 YBCO薄膜的光学应用研究现状 | 第24-26页 |
1.4 透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第26-30页 |
1.4.1 ZnO薄膜的研究现状 | 第28-29页 |
1.4.2 GZO薄膜的研究现状 | 第29-30页 |
1.5 本论文的选题依据和研究内容 | 第30-32页 |
第二章 实验方法及测试 | 第32-41页 |
2.1 薄膜制备方法 | 第32-35页 |
2.1.1 金属有机沉积(MOD)法 | 第32-34页 |
2.1.1.1 MOD法的简介 | 第32-33页 |
2.1.1.2 MOD法与sol-gel法的区别 | 第33页 |
2.1.1.3 MOD法的步骤 | 第33-34页 |
2.1.2 电子束蒸发(EBEM)法 | 第34-35页 |
2.2 材料性能测试方法 | 第35-41页 |
2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第35-36页 |
2.2.2 原子力显微分析(AFM) | 第36-38页 |
2.2.3 扫描电镜分析(SEM) | 第38页 |
2.2.4 薄膜电学性能测试 | 第38-40页 |
2.2.4.1 超导性能测试 | 第38-39页 |
2.2.4.2 薄膜电阻率测试 | 第39-40页 |
2.2.5 薄膜光学性能测试 | 第40-41页 |
第三章 YBCO超导薄膜的MOD法制备 | 第41-83页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 YBCO薄膜生长及性能研究 | 第41-73页 |
3.2.1 前驱液的制备及实验流程 | 第41-44页 |
3.2.2 YBCO薄膜的生长控制研究 | 第44-59页 |
3.2.2.1 低温热处理升温速率对YBCO薄膜的影响 | 第45-47页 |
3.2.2.2 高温热处理温度与时间对YBCO薄膜的影响 | 第47-50页 |
3.2.2.3 氧浓度对YBCO薄膜的影响 | 第50-53页 |
3.2.2.4 水分压及气体流速对YBCO薄膜的影响 | 第53-55页 |
3.2.2.5 过渡温区的升温速率对YBCO薄膜的影响 | 第55-59页 |
3.2.3 YBCO薄膜的电学性能表征 | 第59-61页 |
3.2.4 La_2Zr_2O_7缓冲层薄膜制备研究 | 第61-73页 |
3.2.4.1 实验条件及流程 | 第62-63页 |
3.2.4.2 种子层的引入 | 第63-65页 |
3.2.4.3 热处理温度对LZO薄膜的影响 | 第65-67页 |
3.2.4.4 多层共烧技术 | 第67-72页 |
3.2.4.5 LZO缓冲层性能验证 | 第72-73页 |
3.3 纳米非晶Y2O3薄膜磁通钉扎研究及YBCO厚膜制备 | 第73-81页 |
3.3.1 实验简介 | 第74页 |
3.3.2 纳米非晶Y_2O_3薄膜对自场性能影响 | 第74-78页 |
3.3.2.1 前驱液浓度对非晶层形貌影响 | 第74-76页 |
3.3.2.2 非晶层对YBCO薄膜结构影响 | 第76-77页 |
3.3.2.3 自场下临界电流密度 | 第77-78页 |
3.3.3 纳米非晶Y_2O_3薄膜对磁通钉扎性能影响 | 第78-81页 |
3.3.3.1 非晶层对磁场下临界电流密度影响 | 第78-79页 |
3.3.3.2 位错密度的计算 | 第79-80页 |
3.3.3.3 位错密度对衰减因子的影响 | 第80-81页 |
3.4 本章小结 | 第81-83页 |
第四章 GaZnO薄膜的MOD法制备 | 第83-107页 |
4.1 ZnO薄膜的MOD法制备研究 | 第83-87页 |
4.1.1 实验简介 | 第83页 |
4.1.2 厚度对ZnO薄膜的影响 | 第83-85页 |
4.1.3 生长温度对ZnO薄膜的影响 | 第85-87页 |
4.2 GaZnO薄膜生长及性能研究 | 第87-93页 |
4.2.1 GZO薄膜的生长研究 | 第87-88页 |
4.2.2 GZO薄膜的电学性能研究 | 第88-91页 |
4.2.2.1 生长温度对电学性能的影响 | 第89页 |
4.2.2.2 Ga浓度对电学性能的影响 | 第89-90页 |
4.2.2.3 膜厚对电学性能的影响 | 第90-91页 |
4.2.3 GZO薄膜的光学性质 | 第91-92页 |
4.2.4 优化条件下GZO薄膜的性质 | 第92-93页 |
4.3 Ga_2O_3薄膜MOD法制备研究 | 第93-106页 |
4.3.1 实验简介 | 第94页 |
4.3.2 Ga_2O_3薄膜制备工艺研究 | 第94-101页 |
4.3.2.1 生长温度对结构的影响 | 第95-98页 |
4.3.2.2 生长温度对表面形貌的影响 | 第98-99页 |
4.3.2.3 生长温度对光学性能的影响 | 第99-101页 |
4.3.3 MOD-Ga_2O_3基日盲紫外探测器研究 | 第101-106页 |
4.4 本章小结 | 第106-107页 |
第五章 锗/导电氧化物光学涂层性质研究 | 第107-128页 |
5.1 以Au为反射层的光学涂层性质研究 | 第108-113页 |
5.1.1 Ge/Au薄膜体系的光学性质 | 第108-112页 |
5.1.2 紫外吸收材料Ga_2O_3/Au体系的光学性质 | 第112-113页 |
5.2 以YBCO为反射层的光学涂层性质研究 | 第113-120页 |
5.2.1 YBCO薄膜的光学性质 | 第114-116页 |
5.2.2 Ge/YBCO体系的光学性质 | 第116-118页 |
5.2.3 Ge膜厚度对Ge/YBCO光学涂层性能的影响 | 第118-119页 |
5.2.4 Ge/YBCO体系的可能的光学应用 | 第119-120页 |
5.3 以GZO为反射层的光学涂层性质研究 | 第120-126页 |
5.3.1 GZO薄膜的光学常数 | 第121-122页 |
5.3.2 Ge/GZO体系的光学性质 | 第122-123页 |
5.3.3 Ge膜厚度对Ge/GZO光学涂层性能的影响 | 第123-126页 |
5.3.4 Ge/GZO体系与Ge/Au体系的对比 | 第126页 |
5.4 本章小结 | 第126-128页 |
第六章 结论、创新点与展望 | 第128-131页 |
6.1 结论 | 第128-129页 |
6.2 创新点 | 第129-130页 |
6.3 展望 | 第130-131页 |
致谢 | 第131-132页 |
参考文献 | 第132-149页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第149-151页 |