碳化硅中子探测器的研制及其性能研究
| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 选题背景和研究意义 | 第11-14页 |
| 1.1.1 选题背景 | 第11-13页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要研究工作和内容安排 | 第18-20页 |
| 1.3.1 主要研究工作 | 第18页 |
| 1.3.2 本文内容安排 | 第18-20页 |
| 第二章 半导体探测器中子探测的理论基础 | 第20-33页 |
| 2.1 中子探测的原理与方法 | 第20-25页 |
| 2.1.1 中子与原子核的相互作用 | 第20-21页 |
| 2.1.2 中子探测的基本方法 | 第21-25页 |
| 2.2 半导体探测器的工作原理 | 第25-28页 |
| 2.2.1 PN结型半导体探测器的工作原理 | 第25-27页 |
| 2.2.2 PIN型半导体探测器的工作原理 | 第27-28页 |
| 2.3 半导体探测器的工作特性 | 第28-32页 |
| 2.3.1 漏电流 | 第28-29页 |
| 2.3.2 探测器的噪声 | 第29页 |
| 2.3.3 入射窗 | 第29-30页 |
| 2.3.4 能量分辨率 | 第30-31页 |
| 2.3.5 辐射损伤 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 碳化硅中子探测器的研制及其前端电路分析 | 第33-45页 |
| 3.1 碳化硅中子探测器的结构设计 | 第33-36页 |
| 3.1.1 快中子与碳化硅材料的作用机理 | 第33-34页 |
| 3.1.2 探测器的结构设计 | 第34-36页 |
| 3.2 碳化硅中子探测器的制作 | 第36-40页 |
| 3.2.1 碳化硅外延层的制备 | 第36-38页 |
| 3.2.2 欧姆接触的制备及切割 | 第38-39页 |
| 3.2.3 探测器封装的制作 | 第39-40页 |
| 3.3 碳化硅中子探测器信号输出电路的分析 | 第40-43页 |
| 3.3.1 探测器输出的脉冲信号 | 第40-41页 |
| 3.3.2 探测器信号输出电路的简化 | 第41-43页 |
| 3.3.3 探测器信号输出电路的分析 | 第43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 碳化硅中子探测器的性能研究 | 第45-65页 |
| 4.1 实验装置 | 第45-54页 |
| 4.1.1 辐射源 | 第47-50页 |
| 4.1.2 前置放大器 | 第50-51页 |
| 4.1.3 谱仪放大器 | 第51-52页 |
| 4.1.4 多道分析器 | 第52-54页 |
| 4.1.5 电源供给 | 第54页 |
| 4.2 α 能谱的测量 | 第54-60页 |
| 4.2.1 实验方案 | 第55页 |
| 4.2.2 能量信号的读取 | 第55-58页 |
| 4.2.3 α 能谱的测量结果 | 第58-60页 |
| 4.3 质子能谱与中子能谱的测量 | 第60-62页 |
| 4.3.1 实验方案 | 第60-61页 |
| 4.3.2 质子能谱与中子能谱的测量结果 | 第61-62页 |
| 4.4 抗辐照特性测试 | 第62-63页 |
| 4.4.1 实验方案 | 第62-63页 |
| 4.4.2 抗辐照特性结果比对 | 第63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第65页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第72页 |
